BLC9G22XS-120AGWTY

Амплион BLC9G22XS-120AGWTY

Общее описание

BLC9G22XS-120AGWTY – это высокопроизводительный MOSFET-транзистор на основе технологии LDMOS, разработанный для использования в радиочастотных (РЧ) приложениях. Основное назначение этого компонента – усиление мощности на частотах от 2.11 до 2.2 ГГц. Транзистор способен обеспечивать выходную мощность до 120 Вт. Поставляется в корпусе SOT1278-1 для поверхностного монтажа.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 120 Вт, что дает возможность использовать его в мощных РЧ усилителях.
• Широкий диапазон частот: Охватывает диапазон от 2.11 ГГц до 2.2 ГГц, что позволяет использовать в диапазоне стандартов связи.
• Высокий коэффициент усиления: До 17.1 дБ, что улучшает качество сигнала и эффективность системы.
• Прочный корпус: Компактный и надежный корпус SOT1278-1 для стабильной работы в жестких условиях.

Недостатки

• Снято с производства: Обозначен как устаревший компонент, что может усложнить его поиск и приобретение.
• Неисправность при неправильной эксплуатации: Высокая мощность требует точного соблюдения условий эксплуатации и хороших навыков пайки.

Типовое использование

• Усилители мощности для базовых станций и ретрансляторов.
• РЧ усилители для связи стандарта LTE.
• Промышленные РЧ системы.
• Военные и аэрокосмические РЧ приложения.

Рекомендации по применению

• Внимательно ознакомьтесь с технической документацией производителя перед использованием.
• Убедитесь в наличии адекватного теплоотвода для предотвращения перегрева компонента.
• Проверьте совместимость с другими компонентами вашей схемы, особенно учитывая диапазон частот и уровень мощности.
• Используйте качественное оборудование для пайки и монтажа для предотвращения механических повреждений.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Частотный диапазон: 2.11 ГГц - 2.2 ГГц
• Коэффициент усиления: 17.1 дБ
• Выходная мощность: 120 Вт
• Максимальное напряжение: 65 В
• Ток утечки: 1.4 µA
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD)
• Корпус: SOT1278-1

Возможные аналоги

• Freescale MRFE6VP61K25H: Подходит для высокомощных РЧ приложений.
• NXP BLF8G22LS-160P: Высокомощный транзистор с частотным диапазоном, подходящим для аналогичных приложений.
• Ampleon BLF7G22-130: Мощный РЧ транзистор ЛДМОС с частотными характеристиками, близкими к BLC9G22XS-120AGWTY.

Эти рекомендации и описание помогут вам эффективно использовать BLC9G22XS-120AGWTY в ваших проектах, обеспечивая надежность и высокую производительность системы.