BLC9G20LS-120VZ

12 720,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLC9G20LS-120VZ от Ampleon

Общее описание:

BLC9G20LS-120VZ — высокоэффективный LDMOS RF транзистор от компании Ampleon, предназначенный для работы в диапазоне частот от 1.8 ГГц до 2.0 ГГц. Этот транзистор способен обеспечивать выходную мощность до 120 Вт и обладает высоким коэффициентом усиления, что делает его идеальным для применения в базовых станциях связи, усилителях мощности и других высокочастотных устройствах.

Преимущества:

  • Высокая выходная мощность. Транзистор способен обеспечивать до 120 Вт выходной мощности, что позволяет использовать его в мощных усилителях.
  • Высокий коэффициент усиления. Коэффициент усиления составляет 19.2 дБ, что позволяет получить значительное усиление сигнала с минимальными потерями.
  • Широкий диапазон рабочих частот. Работает в диапазоне от 1.8 ГГц до 2.0 ГГц, что делает его универсальным решением для различных радиочастотных приложений.
  • Низкое энергопотребление. Оптимизированный для работы при низком уровне энергопотребления, что позволяет использовать его в энергоэффективных системах.

Недостатки:

  • Высокая стоимость. Высококачественные компоненты могут быть дороже по сравнению с аналогами.
  • Сложность монтажа. Требует тщательной установки и теплоотвода для обеспечения стабильной работы и длительного срока службы.

Типовое использование:

  • Усилители мощности для базовых станций связи
  • Радиочастотные усилители для различных приложений
  • Системы беспроводной передачи данных
  • Устройства интернет вещей (IoT) с высокими требованиями к передаче данных

Рекомендации по применению:

  • Обеспечьте надежный теплоотвод для предотвращения перегрева транзистора.
  • Используйте соответствующие схемы защиты для предотвращения повреждений от высоких напряжений и токов.
  • Применяйте высококачественные компоненты и материалы для минимизации потерь и улучшения общей эффективности системы.

Основные технические характеристики:

  • Тип транзистора: LDMOS RF транзистор
  • Частотный диапазон: 1.8 ГГц — 2.0 ГГц
  • Выходная мощность: до 120 Вт
  • Коэффициент усиления: 19.2 дБ
  • Напряжение питания: 28 В
  • Корпус: SOT1275-3
  • Напряжение насыщения: 65 В

Возможные аналоги:

  • BLF6G20-45 от NXP Semiconductors
  • MRFE6VP5600HR5 от Freescale Semiconductor
  • PTFA261702E от Infineon Technologies

Используя BLC9G20LS-120VZ, вы получите высококачественный и надежный компонент для вашего проекта, обеспечивающий высокие выходные возможности и стабильную работу в широком диапазоне частот.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК