BLC9G10XS-120AZ
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
BLC9G10XS-120AZ от Ampleon
Общее описание
BLC9G10XS-120AZ - это RF MOSFET (LDMOS) транзистор, созданный компанией Ampleon для приложений, требующих высокую мощность и надежность в частотном диапазоне 920-960 МГц. Компонент выполнен в корпусе SOT1273-1 и предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Обладая выдающимися характеристиками, этот транзистор идеально подходит для использования в базовых станциях сотовой связи и других высокочастотных приложениях.
Преимущества
- Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 120 Вт.
- Увеличенный КПД: Высокая эффективность при работе в диапазоне частот 920-960 МГц.
- Надежность: Предназначен для долговременной эксплуатации в жестких условиях.
- Удобство монтажа: Корпус SOT1273-1 упрощает процесс установки и пайки.
Недостатки
- Устаревание: Компонент имеет статус Obsolete, что означает, что его производство может быть остановлено, и замена может потребоваться в будущем.
- Ограниченный частотный диапазон: Рабочий диапазон составляет только 920-960 МГц.
Типовое использование
- Базовые станции сотовой связи: Предназначен для усиления высокочастотных сигналов в базовых станциях различного типа.
- Радио и телевещание: Может применяться в передатчиках для радио и ТВ.
- Военно-промышленный комплекс: Используется в системах радиосвязи и радаров.
Рекомендации по применению
- Теплоотвод: При проектировании необходимо предусмотреть эффективную систему отвода тепла, так как компонент может выделять значительное количество тепла при работе.
- Экранирование: Рекомендуется использовать экранирование для снижения электромагнитных помех и повышения надежности работы.
- Проверка замены: В связи с устареванием компонента, заранее изучите возможность замены на аналогичное устройство.
Основные технические характеристики
- Частотный диапазон: 920-960 МГц
- Коэффициент усиления: 21 dB
- Напряжение питания: 28 В
- Ток через сток: 120 мА
- Выходная мощность: 120 Вт
- Рабочее напряжение: 65 В
- Конфигурация: Двойной транзистор (dual)
- Корпус: SOT1273-1, монтаж на поверхность (SMD)
Возможные аналоги
- BLC9G10XS-140AZ от Ampleon
- MRFE6VP6300HR3 от NXP Semiconductors
- PD57006S-E от STMicroelectronics
Используйте BLC9G10XS-120AZ для повышения эффективности и надежности ваших высокочастотных систем. Обязательно обращайте внимание на условия эксплуатации и планируйте замену на аналогичные компоненты в будущем.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.