BLC8G27LS-60AVZ

10 560,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

BLC8G27LS-60AVZ от Ampleon

Общее описание

RF MOSFET транзистор BLC8G27LS-60AVZ от компании Ampleon предназначен для использования в мощных радиочастотных приложениях. Этот компонент хорошо подходит для усиления сигнала в диапазоне частот от 2,5 ГГц до 2,7 ГГц, что делает его идеальным выбором для телекоммуникационных систем, базовых станций, а также других высокочастотных приложений.

Преимущества

  • Высокая мощность: Транзистор способен выдерживать до 60 Вт выходной мощности.
  • Широкий частотный диапазон: Эффективная работа в диапазоне от 2,5 до 2,7 ГГц.
  • Высокая линейность и низкие искажения: Обеспечивает качественное усиление сигнала с минимальными искажениями.
  • Надежность и долговечность: Компонент разработан с учетом высоких стандартов качества Ampleon, что обеспечивает долгий срок службы.

Недостатки

  • Стоимость: Высокая производительность и надежность могут оправдывать более высокую цену по сравнению с менее мощными аналогами.
  • Требования к тепловому управлению: Необходим хороший теплоотвод для поддержания оптимальной работы и предотвращения перегрева.

Типовое использование

  • Базовые станции мобильных связей
  • Системы беспроводной связи
  • Усилители мощности для радиосвязи
  • Устройства передачи телевизионных сигналов

Рекомендации по применению

  • Теплоотвод: Убедитесь, что используете достаточное охлаждение для управления тепловыделением.
  • Согласование импеданса: Правильное согласование импеданса входных и выходных цепей для оптимизации производительности.
  • Питание: Следите за напряжением питания и используйте соответствующие фильтры для защиты транзистора от пиков и скачков напряжения.

Основные технические характеристики

  • Максимальная выходная мощность: 60 Вт
  • Частотный диапазон: от 2,5 ГГц до 2,7 ГГц
  • Напряжение питания: до 28 В
  • Коэффициент усиления: ~16 дБ
  • Рабочая температура: от -40 °C до +150 °C
  • Корпус: SOT-1275-3

Возможные аналоги

  • MRFE6S9160HSR3 от NXP Semiconductors: Подобный RF MOSFET для телекоммуникационных применений.
  • MRF6V2150N от Freescale Semiconductor: Альтернативный MOSFET для использования в базовых станциях.

Используйте BLC8G27LS-60AVZ от Ampleon для создания надежных и высокопроизводительных радиочастотных усилителей с минимальными искажениями и максимальной выходной мощностью.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК