BLC8G27LS-100AVZ

BLC8G27LS-100AVZ от Ampleon

Описание

BLC8G27LS-100AVZ — высокоэффективный RF MOSFET транзистор от компании Ampleon, предназначенный для работы в диапазоне частот от 2.5GHz до 2.7GHz. Этот прибор разработан на основе технологии LDMOS и оптимизирован для работы с RF приложениями, требующими высокой мощности и низкого уровня искажений.

Преимущества

• Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 100 Вт при высокой эффективности.
• Широкий диапазон рабочих частот: Подходит для использования в диапазоне от 2.5GHz до 2.7GHz.
• Низкие искажения и высокий коэффициент усиления: Это идеальный выбор для приложений, требующих минимальных искажений и высокого уровня усиления.
• Надежность и долговечность: Благодаря использованию новейших материалов и технологий, данный компонент обеспечивает высокую надежность и долгий срок службы.

Недостатки

• Чувствительность к электростатическим разрядам (ESD): Требует осторожности при обращении и монтаже.
• Стоимость: Цена на высококачественные RF MOSFET транзисторы может быть выше по сравнению с аналогами меньшей мощности.

Типовое использование

• Базовые станции сотовой связи: Частотный диапазон и высокая мощность делают данный транзистор идеальным для использования в базовых станциях.
• Усилители мощности (PA): Оптимален для применения в высокоэффективных RF усилителях мощности.
• Передатчики: Применяется в радиопередающих устройствах для выхода на значительные дальности передачи.

Рекомендации по применению

1. Советуем использовать подходящие радиаторы и системы теплоотвода для эффективного рассеивания тепла, выделяемого транзистором.
2. Избегайте превышения максимально допустимых параметров по напряжению и току, чтобы предотвратить повреждение компонента.
3. Специфические требования к монтажу и ESD защите: Используйте антистатические устройства и соблюдайте специальные правила монтажа для предотвращения электростатических разрядов.

Основные технические характеристики

• Рабочий диапазон частот: 2.5GHz ~ 2.7GHz
• Выходная мощность: 100 Вт
• Коэффициент усиления: 14 дБ
• Рабочее напряжение: 28 В
• Корпус: SOT467B
• Сопротивление активной части: 0.85 Ом при 29 В
• Температурный диапазон работы: -55°C ~ +200°C

Возможные аналоги

• MRFE6VP6300H от NXP Semiconductors: Высокоэффективный RF транзистор для аналогичных диапазонов частот и мощностей.
• PTFC260351F от Infineon Technologies: Предлагает похожие характеристики с целью задания аналогичных применений.

Использование данного описания позволит покупателю получить полную информацию о продукте и сделать осознанный выбор подходящего компонента для своих целей.