BLC8G21LS-160AVY

RF MOSFET BLC8G21LS-160AVY от Ampleon

Общее описание

BLC8G21LS-160AVY - это высокочастотный MOSFET LDMOS-транзистор производства Ampleon, предназначенный для усиления сигнала в диапазоне частот от 2110 до 2170 МГц. Он обеспечивает выходную мощность до 160 Вт при напряжении питания 28 В. Этот компонент является идеальным выбором для применения в базовых станциях сотовых сетей и других системах связи.

Преимущества

• Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 160 Вт, что делает его идеальным для мощных усилителей.
• Широкий диапазон частот: Поддерживает частоты от 2110 до 2170 МГц, что хорошо подходит для использования в сотовых сетях.
• Высокая линейность: Обеспечивает отличное качество сигнала, снижающий искажения и улучшает производительность систем связи.
• Низкий тепловой сопротивление: Обеспечивает эффективное рассеивание тепла, что повышает надежность и долговечность компонента.

Недостатки

• Необходимость в охлаждении: Высокая мощность требует эффективной системы охлаждения для предотвращения перегрева.
• Сложность монтажа: Для монтажа может потребоваться специальное оборудование и профессиональные навыки.

Типовое использование

• Базовые станции сотовых сетей
• Усилители мощности для систем связи
• Инфраструктура беспроводных сетей

Рекомендации по применению

1. Охлаждение: Убедитесь, что компоненты имеют адекватную систему охлаждения для эффективного рассеивания тепла.
2. Монтаж: Используйте соответствующие методы и оборудование для монтажа, чтобы избежать повреждений.
3. Проверка параметров: Регулярно проверяйте параметры работы для обеспечения стабильной работы и предотвращения перегрузок.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: 2110 ~ 2170 МГц
• Выходная мощность: до 160 Вт
• Напряжение питания: 28 В
• Тепловое сопротивление: 0.15 K/W
• КПД: 55.5% при P1dB
• Форм-фактор: SOT502A

Возможные аналоги

• MRF21120 от NXP Semiconductors
• D1410UK от Elektron Bipolar
• MRFE6S21120 от Freescale Semiconductor

Заключение

BLC8G21LS-160AVY от Ampleon - это надёжный и высокопроизводительный RF MOSFET, который идеально подходит для применения в системах связи, требующих высокой мощности и широкой полосы частот. При основных преимуществах, таких как высокая выходная мощность и отличная линейность, он требует внимательного подхода к монтажу и охлаждению для обеспечения стабильно высокой производительности.