BLC10G22XS-602AVTZ

BLC10G22XS-602AVTZ от Ampleon

Общее описание

BLC10G22XS-602AVTZ - это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор с LDMOS технологией от компании Ampleon. Он специально разработан для работы в диапазоне частот 2.11 GHz - 2.17 GHz и обладает высокой мощностью выхода до 600 Вт. Транзистор оптимизирован для применения в усилителях мощности для базовых станций стандарта LTE и других беспроводных коммуникационных систем.

Преимущества

• Высокая мощность: Обеспечивает мощность выхода до 600 Вт, идеально подходит для использования в системах, требующих высокой мощности передачи.
• Высокий коэффициент усиления: Коэффициент усиления достигает 15.4 dB, что позволяет эффективно усиливать слабые сигналы.
• Широкий диапазон напряжений: Работает при напряжениях до 30 В, что увеличивает гибкость для различных приложений.
• Высокая надёжность: Выполнен с использованием передовой LDMOS технологии, обеспечивая долгий срок службы и стабильную работу.

Недостатки

• Требует надлежащего охлаждения: Высокая мощность означает, что транзистор может нагреваться, что требует эффективного решения для его охлаждения.
• Большие размеры корпуса: Корпус формата SOT1258-4 может оказаться слишком крупным для некоторых компактных устройств.

Типовое использование

• Усилители мощности для базовых станций LTE
• Коммуникационные системы с высоким уровнем мощности
• Радиолокационные системы
• Индустриальные RF системы

Рекомендации по применению

• Для достижения наилучших характеристик рекомендуется использовать качественные термопасты и радиаторы для эффективного охлаждения.
• Обеспечьте правильную разводку печатной платы с минимальным уровнем электромагнитных помех.
• Используйте рекомендованные производителем конденсаторы и резисторы для выполнения требований по стабильности и надежности работы.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: LDMOS (Dual, Common Source)
• Частотный диапазон: от 2.11 GHz до 2.17 GHz
• Коэффициент усиления: 15.4 dB
• Напряжение теста: 30 В
• Тестовый ток: 1.2 А
• Выходная мощность: до 600 Вт
• Номинальное напряжение: 65 В
• Корпус: SOT1258-4
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж (Surface Mount)

Возможные аналоги

• BLC10G22XS-570AVT: Похожая модель с несколько более низкой мощностью выхода.
• MRF8S21180NR3 от NXP Semiconductors: Альтернативный MOSFET транзистор для применения в усилителях мощности.

Заключение

BLC10G22XS-602AVTZ от Ampleon - это надежный и мощный RF MOSFET транзистор, предназначенный для использования в устройствах, требующих высокой мощности и стабильности в диапазоне частот 2.11 GHz - 2.17 GHz. Его высокие технические характеристики делают его отличным выбором для усилителей мощности базовых станций и других высокопроизводительных радиочастотных систем.