BLC10G22XS-400AVTZ

18 480,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLC10G22XS-400AVTZ от Ampleon

Общее описание

BLC10G22XS-400AVTZ — это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор на базе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor), предназначенный для различных применений в области радиочастотной техники. Транзистор работает в диапазоне частот от 2.11 ГГц до 2.2 ГГц и обеспечиваю выходную мощность до 400 Вт. Устройство поставляется в корпусе SOT1258-4 для поверхностного монтажа.

Преимущества

  • Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 400 Вт.
  • Широкий диапазон частот: Подходит для работы в диапазоне от 2.11 ГГц до 2.2 ГГц.
  • Высокий коэффициент усиления: Усиление составляет 17 дБ при токе тестирования 800 мА.
  • Надежность: Высоковольтное питание до 28 В и номинальное напряжение до 65 В.
  • Компактность: Установлен в компактный корпус SOT1258-4 для удобства монтажа на плату.

Недостатки

  • Требуется хорошее охлаждение: При высокой выходной мощности может выделяться значительное количество тепла.
  • Узкий диапазон частот: Подходит только для приложений в указанном диапазоне частот.

Типовое использование

  • Мобильная связь: Базовые станции и другие компоненты инфраструктуры мобильной связи.
  • Беспроводная передача данных: Включая системы Wi-Fi, точками доступа и другие коммуникационные устройства.
  • Радиопередатчики: Устройства, работающие в диапазоне частот 2.11-2.2 ГГц.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте адекватное охлаждение для предотвращения перегрева устройства во время работы.
  • Используйте соответствующие схемы защиты от перегрузки и перенапряжения для увеличения срока службы транзистора.
  • Стабилизируйте напряжение питания, чтобы избежать настройки на некорректные рабочие точки.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Частота: 2.11 ГГц - 2.2 ГГц
  • Коэффициент усиления: 17 дБ
  • Ток тестирования: 800 мА
  • Выходная мощность: 400 Вт
  • Входное напряжение: 28 В
  • Номинальное напряжение: 65 В
  • Корпус: SOT1258-4, поверхностный монтаж

Возможные аналоги

  • BLF644: LDMOS RF мощный транзистор от Ampleon, но с немного другим диапазоном частот.
  • MRF6VP11KH: Высокочастотный MOSFET транзистор от NXP Semiconductors.

Этот компонент предлагает высокую производительность для приложений, требующих мощного и надежного радиочастотного усиления в диапазоне 2.11-2.2 ГГц.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК