BLC10G19XS-601AVTY

33 360,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLC10G19XS-601AVTY от Ampleon

Общее описание

BLC10G19XS-601AVTY — это мощный LDMOS RF MOSFET от компании Ampleon, предназначенный для работы в диапазоне частот 1.93GHz - 1.995GHz. Этот транзистор оптимизирован для радиочастотных приложений и может обеспечить мощность до 600W при работе с напряжением 30V.

Преимущества

  • Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 600W, что делает его идеальным для мощных радиочастотных приложений.
  • Широкий диапазон частот: Работает в диапазоне частот 1.93GHz - 1.995GHz, что подходит для многих современных беспроводных систем.
  • Отличный коэффициент усиления: Обеспечивает усиление до 15dB, что способствует улучшению производительности системы.

Недостатки

  • Требования к охлаждению: Высокая мощность может потребовать дополнительных решений для управления теплом.
  • Специализированное применение: Разработка и настройка схем может потребовать специализированных знаний в области радиочастотной инженерии.

Типовое использование

  • Мощные усилители: Используется в усилителях высокой мощности для телекоммуникационных базовых станций.
  • Радиочастотные генераторы: Применяется в мощных радиочастотных генераторах и передатчиках.
  • Военные и аэрокосмические приложения: Подходит для применения в критически важных системах связи.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте адекватное охлаждение для предотвращения перегрева, учитывая высокую мощность устройства.
  • Используйте высококачественные компоненты в схеме для обеспечения стабильной работы.
  • Проверьте соответствие параметров вашей схемы требованиям и спецификациям данного компонента.

Основные технические характеристики

  • Конфигурация: Двойной, общий исток
  • Частотный диапазон: 1.93GHz - 1.995GHz
  • Коэффициент усиления: 15dB
  • Тестовое напряжение: 30V
  • Тестовый ток: 1.06A
  • Выходная мощность: 600W
  • Максимальное напряжение: 65V
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD)
  • Корпус: SOT-1258-4

Возможные аналоги

  • MRFE6S9160HSR3 (NXP Semiconductors): Похожи по характеристикам, но с разными диапазонами частот.
  • MRF1K50H (NXP Semiconductors): Мощный RF MOSFET с близкими параметрами, но другим корпусом.

Этот компонент является отличным выбором для построения мощных и надежных радиочастотных систем.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК