BLA9H0912LS-700GU

82 080,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента BLA9H0912LS-700GU от Ampleon

Общее описание

BLA9H0912LS-700GU - это высокочастотный МОП-транзистор (RF MOSFET) на базе технологии LDMOS, разработанный компанией Ampleon. Данный мощный транзистор предназначен для работы в диапазоне частот от 960 МГц до 1,215 ГГц, обеспечивая выходную мощность до 700 Вт. Он идеально подходит для приложений, требующих высокой мощности и надежности в условиях работы на высоких частотах, таких как передатчики и радиолокационные системы.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 700 Вт
  • Широкий диапазон частот: от 960 МГц до 1,215 ГГц
  • Высокий коэффициент усиления: 20 дБ
  • Надежность и долговечность: обеспечивается технология LDMOS
  • Компактный монтаж: корпус CDFM2 (SOT-502E)

Недостатки

  • Необходимо управление тепловыделением ввиду высокой мощности
  • Комплексное схемотехническое проектирование для достижения оптимальной производительности

Типовое использование

  • Радиочастотные (RF) передатчики
  • Радиолокационные системы
  • Базовые станции мобильной связи
  • Усилители мощности для телевизионного вещания
  • Мощные передающие устройства для связи

Рекомендации по применению

  • Используйте эффективные системы охлаждения для отвода тепла
  • Обеспечьте соответствие питающих напряжений и токов установленным параметрам
  • Применяйте в цепях стабильного источника питания для поддержания высокого качества сигнала
  • Тщательно проектируйте схему с учетом импедансного согласования для достижения максимальной выходной мощности и минимизации потерь

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Диапазон частот: 960 МГц ~ 1,215 ГГц
  • Коэффициент усиления: 20 дБ
  • Тестовое напряжение: 50 В
  • Тестовый ток: 100 мА
  • Выходная мощность: 700 Вт
  • Максимальное напряжение: 106 В
  • Тип монтажа: Шасси
  • Корпус: SOT-502E
  • Упаковка от поставщика: CDFM2

Возможные аналоги

  • NXP BLP9H0912-90: мощный LDMOS RF транзистор с выходной мощностью 90 Вт
  • Infineon PTFA091501E: LDMOS RF транзистор с выходной мощностью 150 Вт
  • Cree CGH40010F: GaN HEMT транзистор с выходной мощностью 10 Вт для высокочастотных приложений

BLA9H0912LS-700GU предлагает высокую производительность для приложений с высокими требованиями к мощности и надежности, что делает его отличным выбором для высокочастотных систем.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК