BLA9H0912LS-700GU
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Описание компонента BLA9H0912LS-700GU от Ampleon
Общее описание
BLA9H0912LS-700GU - это высокочастотный МОП-транзистор (RF MOSFET) на базе технологии LDMOS, разработанный компанией Ampleon. Данный мощный транзистор предназначен для работы в диапазоне частот от 960 МГц до 1,215 ГГц, обеспечивая выходную мощность до 700 Вт. Он идеально подходит для приложений, требующих высокой мощности и надежности в условиях работы на высоких частотах, таких как передатчики и радиолокационные системы.
Преимущества
- Высокая выходная мощность: до 700 Вт
- Широкий диапазон частот: от 960 МГц до 1,215 ГГц
- Высокий коэффициент усиления: 20 дБ
- Надежность и долговечность: обеспечивается технология LDMOS
- Компактный монтаж: корпус CDFM2 (SOT-502E)
Недостатки
- Необходимо управление тепловыделением ввиду высокой мощности
- Комплексное схемотехническое проектирование для достижения оптимальной производительности
Типовое использование
- Радиочастотные (RF) передатчики
- Радиолокационные системы
- Базовые станции мобильной связи
- Усилители мощности для телевизионного вещания
- Мощные передающие устройства для связи
Рекомендации по применению
- Используйте эффективные системы охлаждения для отвода тепла
- Обеспечьте соответствие питающих напряжений и токов установленным параметрам
- Применяйте в цепях стабильного источника питания для поддержания высокого качества сигнала
- Тщательно проектируйте схему с учетом импедансного согласования для достижения максимальной выходной мощности и минимизации потерь
Основные технические характеристики
- Технология: LDMOS
- Диапазон частот: 960 МГц ~ 1,215 ГГц
- Коэффициент усиления: 20 дБ
- Тестовое напряжение: 50 В
- Тестовый ток: 100 мА
- Выходная мощность: 700 Вт
- Максимальное напряжение: 106 В
- Тип монтажа: Шасси
- Корпус: SOT-502E
- Упаковка от поставщика: CDFM2
Возможные аналоги
- NXP BLP9H0912-90: мощный LDMOS RF транзистор с выходной мощностью 90 Вт
- Infineon PTFA091501E: LDMOS RF транзистор с выходной мощностью 150 Вт
- Cree CGH40010F: GaN HEMT транзистор с выходной мощностью 10 Вт для высокочастотных приложений
BLA9H0912LS-700GU предлагает высокую производительность для приложений с высокими требованиями к мощности и надежности, что делает его отличным выбором для высокочастотных систем.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.