BLA9H0912L-700U

BLA9H0912L-700U от Ampleon

Общее описание

BLA9H0912L-700U — это мощный RF MOSFET на основе технологии LDMOS. Он разработан для работы в диапазоне частот от 960 МГц до 1.215 ГГц и способен обеспечивать выходную мощность до 700 Вт. Этот компонент идеально подходит для использования в высокочастотных приложениях, таких как радиолокационные системы и беспроводная связь.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 700 Вт, что обеспечивает надежную работу в интенсивных приложениях.
• Широкий диапазон рабочей частоты: от 960 МГц до 1.215 ГГц, что делает компонент универсальным для различных высокочастотных систем.
• Высокий коэффициент усиления: до 20 дБ, что повышает эффективность системы.
• Компактный корпус SOT502A: облегчает монтаж и интеграцию в схемы.

Недостатки

• Высокое напряжение питания: требует источника питания на 50 В, что может ограничить применение в низковольтных системах.
• Необходимость системы охлаждения: высокая мощность требует адекватного теплоотвода для предотвращения перегрева.

Типовое использование

• Радиолокационные системы
• Беспроводная связь
• Усилители мощности для передатчиков
• Авиационные и военные коммуникационные системы

Рекомендации по применению

• Обеспечить адекватное охлаждение для поддержания стабильной работы на высоких мощностях.
• Использовать качественные источники питания, способные обеспечить необходимое напряжение и ток.
• Включить защитные схемы от перегрева и перегрузки по току для повышения надежности системы.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Диапазон частот: 960 МГц - 1.215 ГГц
• Коэффициент усиления: 20 дБ
• Напряжение питания: 50 В
• Ток питания: 100 мА
• Выходная мощность: 700 Вт
• Корпус: SOT502A
• Монтаж: шасси

Возможные аналоги

• IMS0597L30 от NXP Semiconductors
• MRF1K50H от NXP Semiconductors
• BLF184XR от Ampleon

Этот компонент, BLA9H0912L-700U, представляет собой мощное решение для высокочастотных приложений, требующих высокой выходной мощности и производительности.