BLA9H0912L-1200PU

122 160,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

BLA9H0912L-1200PU от Ampleon

Общее описание

Модель BLA9H0912L-1200PU от компании Ampleon представляет собой RF MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS, предназначенный для работы в диапазоне частот от 960 МГц до 1215 МГц. Этот транзистор способен обеспечить выходную мощность до 1200 Вт, что делает его идеальным решением для мощных радиочастотных приложений.

Преимущества

  • Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 1200 Вт, что делает его идеальным для мощных приложений.
  • Высокий коэффициент усиления: Коэффициент усиления составляет 19 дБ, что позволяет улучшить рабочие характеристики усилителя.
  • Надежность: Высокая степень надежности, проверенная в различных условия эксплуатации.

Недостатки

  • Требования к тепловому управлению: Высокая выходная мощность требует эффективного теплового управления, что может потребовать дополнительных затрат на охлаждение.
  • Специфический диапазон частот: Предназначен для работы в ограниченном диапазоне частот (960 МГц - 1215 МГц), что может ограничить его применение.

Типовое использование

  • Радиочастотные усилители мощности: Применяется в радиочастотных усилителях для телекоммуникаций и радиовещания.
  • Военно-прикладные устройства: Используется в радарах и системах связи для военных нужд.
  • Промышленные приложения: Подходит для промышленных RF-генераторов.

Рекомендации по применению

  • Эффективное охлаждение: Обеспечьте надежное тепловое управление для поддержания оптимальной производительности.
  • Точная настройка: При проектировании схемы усилителя учитывайте точные электромагнитные характеристики для достижения максимальной эффективности.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Диапазон частот: от 960 МГц до 1215 МГц
  • Коэффициент усиления: 19 дБ
  • Тестовое напряжение: 50 В
  • Тестовый ток: 75 мА
  • Выходная мощность: до 1200 Вт
  • Рабочее напряжение: до 106 В
  • Тип монтажа: Крепление на шасси
  • Корпус: SOT539A

Возможные аналоги

  • MRF6VP3450H от NXP Semiconductors: Также представляет собой высокомощный RF-транзистор на основе LDMOS технологии.
  • BLF888A от Ampleon: Применим для усиления мощности в радиочастотных приложениях.

Используя BLA9H0912L-1200PU, вы получите высокопроизводительный, надежный транзистор для различных радиочастотных приложений и сможете существенно улучшить производительность вашей системы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК