BLA9G1011L-300U от Ampleon

Общее описание

BLA9G1011L-300U — это высокочастотный MOSFET транзистор (LDMOS), предназначенный для использования в диапазоне частот от 1.03 до 1.09 ГГц. Он предоставляет высокую выходную мощность до 317 Вт и обладает коэффициентом усиления 21,8 дБ при напряжении питания 32 В. Транзистор упакован в корпус SOT502A, что обеспечивает удобный монтаж на шасси.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 317 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных передающих устройствах.
• Высокий коэффициент усиления: 21,8 дБ, что способствует эффективной амплификации сигнала.
• Широкий температурный диапазон работы: отлично подходит для различных условий эксплуатации.
• Низкий ток утечки: всего 4.2 мкА, что уменьшает потери.

Недостатки

• Высокая стоимость: может быть слишком дорогим для проектов с ограниченным бюджетом.
• Требовательность к охлаждению: при высокой мощности необходимо эффективно отводить тепло.

Типовое использование

• Радиочастотные передатчики: базовые станции мобильной связи, радиолокационные системы.
• Усилители мощности: компоновка мощных усилительных каскадов в различных коммуникационных системах.
• Военное оборудование: различные системы связи и радиолокации в военных приложениях.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: необходимо предусмотреть систему охлаждения для отвода тепла. Могут быть использованы радиаторы или жидкостное охлаждение.
• Питание: обеспечить стабильное питание с напряжением 32 В для надежной работы.
• Экранирование: для минимизации помех и влияния окружающей среды рекомендуется использовать экранированные корпуса и правильную компоновку на плате.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Частотный диапазон: от 1.03 до 1.09 ГГц
• Коэффициент усиления: 21.8 дБ
• Напряжение питания: 32 В
• Ток утечки: 4.2 мкА
• Ток тестирования: 100 мА
• Выходная мощность: до 317 Вт
• Тип монтажа: на шасси
• Корпус: SOT502A

Возможные аналоги

• MRFE6VP61K25H от NXP Semiconductors: Высокомощный LDMOS транзистор с похожими характеристиками.
• PTMA210152M от Wolfspeed/Cree: Еще один высокочастотный MOSFET с аналогичной мощностью и напряжением питания.
• MRF24G300HS от NXP Semiconductors: MOSFET с высокой выходной мощностью, подходящий для подобных применений.

BLA9G1011L-300U представляет собой надежный выбор для высокочастотных приложений, требующих мощной и стабильной работы. Он комфортно используется в радиочастотных передатчиках и усилителях мощности, обеспечивая превосходные характеристики работы.