BLA1011S-200R,112

BLA1011S-200R,112 от NXP

Общее описание

BLA1011S-200R,112 от компании NXP — это высококачественный RF MOSFET транзистор, предназначенный для использования в усилителях мощности в диапазоне от 1.03 ГГц до 1.09 ГГц. Этот компонент обладает высокой выходной мощностью до 200 Вт и обеспечивает усиление сигнала до 13 дБ.

Основные преимущества

• Высокая выходная мощность: до 200 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных радиочастотных усилителях.
• Широкий диапазон рабочих частот: от 1.03 ГГц до 1.09 ГГц.
• Высокое усиление: до 13 дБ, что делает этот транзистор отличным выбором для радиопередающих устройств.
• Надежность и долговечность: благодаря использованию технологии LDMOS.

Недостатки

• Высокое тепловыделение: требует эффективного охлаждения.
• Может быть сложно найти: статус компонента — устаревший (Obsolete).

Типовое использование

Основные области применения BLA1011S-200R,112 включают:

• Радиочастотные усилители для базовых станций мобильной связи.
• Радиотрансляционные передатчики.
• Различные системы беспроводной связи.

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Обеспечьте эффективное охлаждение компонента. Использование радиаторов и активного охлаждения рекомендуется при работе на высокой мощности.
• Защита от перегрузок: Убедитесь, что в вашей схеме предусмотрена защита от перегрузок по току и напряжению.

Основные технические характеристики

• Рабочее напряжение: 36 В
• Выходная мощность: 200 Вт
• Диапазон частот: 1.03 ГГц - 1.09 ГГц
• Усиление: 13 дБ
• Номинальное напряжение: 75 В
• Корпус/Тип монтажа: SOT-502B, монтаж на шасси

Возможные аналоги

• MRFE6VP61K25H от NXP: аналогичный RF MOSFET, предоставляющий высокую мощность и усиление.
• BLF574 от Ampleon: высокоэффективный компонент для усилителей в радиочастотном диапазоне.

Этот компонент идеально подходит для усилительных решений, где требуется высокая мощность и качество сигнала. Для успешного использования важно следовать рекомендациям по монтажу и охлаждению.