BLA1011S-200,112

BLA1011S-200,112 от NXP

Общее описание

BLA1011S-200,112 — это мощный RF MOSFET LDMOS транзистор от компании NXP, предназначенный для работы в частотном диапазоне от 1,03 до 1,09 ГГц. Он идеально подходит для приложений, требующих высокого уровня линейности и эффективности, таких как усилители мощности в базовых станциях мобильной связи.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: До 200 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных радиочастотных приложениях.
• Высокий коэффициент усиления: 13 дБ, что обеспечивает значительный прирост сигнала.
• Низкое энергопотребление: Тестовое напряжение 36 В при потребляемом токе 150 мА.
• Надежность и долговечность: Высокая номинальная напряжение (75 В) и корпус SOT502B, разработанный для улучшенной терморегуляции.

Недостатки

• Статус "Устарело": Компонент более не производится, что может ограничить его доступность и начинку.
• Высокая стоимость: Более высокие уровни мощности и производительности обычно сопровождаются увеличенной ценой.
• Требования к охлаждению: Обязательна установка на шасси или радиатор для эффективного отвода тепла.

Типовое использование

• Усилители мощности для базовых станций сотовой связи.
• Радиосистемы в диапазоне 1,03 — 1,09 ГГц.
• Радары и другие промышленные радиочастотные приложения.

Рекомендации по применению

• Терморегуляция: Используйте этот компонент с соответствующими радиаторами или другими средствами отвода тепла.
• Печать ПП: Компоновка и конструкция печатных плат должны учитывать возможность отвода тепла и улучшенного EMI/RFI экранирования.
• Запас по мощности: Используйте номинальные значения напряжения и тока для продления срока службы и надежности устройства.

Основные технические характеристики

• Частота: 1.03 ГГц — 1.09 ГГц
• Коэффициент усиления: 13 дБ
• Выходная мощность: 200 Вт
• Тестовое напряжение: 36 В
• Тестовый ток: 150 мА
• Номинальное напряжение: 75 В
• Корпус: SOT502B

Возможные аналоги

• MRFE6VP61K25H: От компании NXP, предназначен для работы в более широком частотном диапазоне и с повышенной выходной мощностью.
• BLF888E: Ещё один радиочастотный транзистор от NXP, обладающий схожими характеристиками.
• MRF151G: Мощный RF MOSFET от компании ON Semiconductor, который может служить аналогом для некоторых применений.

Использование этих аналогов зависит от конкретных требований вашего проекта и наличия компонентов на рынке.