B11G1822N60DYZ

B11G1822N60DYZ от Ampleon

Общее описание

B11G1822N60DYZ — это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор LDMOS от компании Ampleon. Он предназначен для использования в радиочастотных приложениях с частотным диапазоном от 1,8 ГГц до 2,2 ГГц. Этот компонент обеспечивает усиление сигнала на 32 дБ и выполнен в компактном корпусе 36-PQFN (12x7 мм).

Преимущества

• Высокая мощность: Обеспечивает высокую выходную мощность при сохранении компактных размеров.
• Широкий диапазон частот: Отличная производительность в диапазоне частот от 1,8 до 2,2 ГГц.
• Высокое усиление: Коэффициент усиления составляет 32 дБ, что улучшает сигнал при минимальных потерях.
• Поверхностный монтаж: Удобный для автоматизированной сборки корпус 36-PQFN.

Недостатки

• Чувствительность к электростатическим разрядам: Требует осторожности при обращении и установке.
• Ограничения по напряжению: Максимальное допустимое напряжение — 65 В.

Типовое использование

• Базовые станции сотовой связи: Оптимизирован для работы в диапазоне частот мобильной связи.
• Радиочастотные усилители мощности: Подходит для использования в различных радиопередатчиках и приемниках.
• Беспроводные системы передачи данных: Повышает надежность передачи данных в системах высокой частоты.

Рекомендации по применению

• Защита от ESD: Обеспечьте соответствующую защиту от электростатических разрядов при установке и эксплуатации.
• Правильное охлаждение: Убедитесь в наличии адекватного охлаждения для предотвращения перегрева транзистора.
• Соблюдение рабочей частоты: Использовать в пределах рекомендуемого диапазона частот для максимальной эффективности.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: Двойной
• Частотный диапазон: 1,8 ГГц ~ 2,2 ГГц
• Коэффициент усиления: 32 дБ
• Ток утечки: 1,4 мкА
• Максимальное напряжение: 65 В
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMT)
• Корпус/габариты: 36-QFN (12x7 мм)

Возможные аналоги

• MRF1518NT1 от NXP Semiconductors: аналогичный RF MOSFET для радиочастотных приложений.
• PD57006-E от STMicroelectronics: еще один RF MOSFET с похожими характеристиками и частотным диапазоном.

Этот компонент идеально подходит для высокопроизводительных радиочастотных приложений, где требуется надежность и высокий коэффициент усиления в компактном исполнении.