B10G4750N12DLZ

6 415,20 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

B10G4750N12DLZ от Ampleon

Общее описание

B10G4750N12DLZ - это высокочастотный МОП-транзистор (MOSFET), основанный на технологии LDMOS и предназначенный для работы в диапазоне частот 4.7-5 ГГц. Этот компонент предлагает высокий коэффициент усиления и низкий уровень интермодуляционных искажений, что делает его идеальным выбором для приложений, требующих высокой линейности и эффективности.

Преимущества

  • Высокий коэффициент усиления: 30 дБ, что обеспечивает сильное усиление сигнала.
  • Рабочий диапазон частот: 4.7 ГГц - 5 ГГц, идеально подходит для современных радио- и телекоммуникационных систем.
  • Стабильность и надежность: Высокая устойчивость к температурным и электрическим стрессам.
  • Технология LDMOS: Заменюемость традиционных MOSFET компонентов с улучшенными характеристиками.

Недостатки

  • Требования к охлаждению: Высокая мощность и плотность требуют эффективного отвода тепла.
  • Чувствительность к статике: Необходимо соблюдать меры предосторожности при работе с ЭСДС.

Типовое использование

  • Усилители мощности для базовых станций сотовой связи.
  • Радиолокационные системы.
  • Телекоммуникационные передатчики.
  • Другое специализированное радиооборудование.

Рекомендации по применению

  • Внимательно следите за условиями рабочего напряжения и температурой для обеспечения долгосрочной надежности.
  • Используйте соответствующие радиаторы и/или системы охлаждения для отвода тепла.
  • Следите за качеством пайки, чтобы избежать повреждений из-за термомеханических процессов.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 4.7 ГГц - 5 ГГц
  • Коэффициент усиления: 30 дБ
  • Максимальное напряжение: 28 В
  • Корпус: 20-LGA (7x7) с открытой подложкой
  • Монтаж: Поверхностный

Возможные аналоги

  • Ampleon B10G4750N10D: Тоже функционирует в аналогичном частотном диапазоне.
  • NXP Semiconductors MRFE6VS25NR1: Альтернатива для использования в другой частоте или применении.

Заключение

B10G4750N12DLZ от Ampleon представляет собой мощный и надежный компонент для высокочастотного усиления сигнала. Благодаря своим ключевым характеристикам и высокой производительности, он станет отличным выбором для применения в современных радио- и телекоммуникационных системах.

Описание товара

  • digikey: 1603-B10G4750N12DLZTR-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: RF MOSFET LDMOS 20LGA DetailedDescription: RF Mosfet 4.7GHz ~ 5GHz 30dB 20-LGA (7x7) Status: Active Category: Ampleon USA Inc.; Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®; B10G4750; Discrete Semiconductor Products; Transistors; FETs, MOSFETs; RF FETs, MOSFETs
  • parameters2: Technology: LDMOS Configuration: - Frequency: 4.7GHz ~ 5GHz Gain: 30dB Current Rating (Amps): - Noise Figure: - Power - Output: - Voltage - Rated: 28 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 20-VLGA Exposed Pad Supplier Device Package: 20-LGA (7x7)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК