B10G3741N55DZ

5 606,40 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

B10G3741N55DZ от Ampleon

Общее описание

B10G3741N55DZ — это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор на базе LDMOS технологии, предназначенный для работы в микроволновом диапазоне частот. Он обеспечивает стабильную работу в диапазоне от 3.7 ГГц до 4.1 ГГц, что делает его идеальным решением для приложений в области телекоммуникаций, радиочастотных усилителей и других высокочастотных устройств.

Преимущества

  • Высокая мощность выхода: Обеспечивает до 47.6 дБм, что позволяет эффективно усиливать сигналы высокой мощности.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает 34.8 дБ, что позволяет достигать значительного усиления сигнала при низких уровнях входной мощности.
  • Надежность и долговечность: Благодаря LDMOS технологии, транзистор обладает высокой степенью защиты и надежности, что важно для длительной эксплуатации.
  • Компактный корпус: Поставляется в 20-PQFN (8x8) корпусе, что обеспечивает минимальное пространство на плате и хорошее тепловое управление.

Недостатки

  • Высокие требования к радиочастотной стабилизации: При проектировании схемы следует уделить внимание вопросам стабилизации для предотвращения самовозбуждения на высоких частотах.
  • Требует качественного отвода тепла: Необходимо обеспечить эффективное терморегулирование для предотвращения перегрева.

Типовое использование

  • Усилители мощности для базовых станций и ретрансляторов.
  • Радиочастотные генераторы и передатчики.
  • Системы беспроводной связи и радиолокации.
  • Промышленные системы микроволнового нагрева.

Рекомендации по применению

  • Режимы работы: Оптимизировать работу транзистора в указанных частотных диапазонах для достижения максимальной производительности.
  • Отведение тепла: Используйте качественные радиаторы и терморегулирующие сети для предотвращения перегрева.
  • Стабилизация: Включать элементы стабилизации и фильтрации в схему для обеспечения стабильной работы на высоких частотах.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 3.7 ГГц ~ 4.1 ГГц
  • Коэффициент усиления: 34.8 дБ
  • Мощность на выходе: 47.6 дБм
  • Напряжение: 65 В
  • Корпус: 20-PQFN (8x8)
  • Ток: 1.4 мкА

Возможные аналоги

  • BLF7G27-10G от Ampleon
  • MRFE6VP61K25HR6 от NXP Semiconductors
  • MRF6VP5600H от Freescale

Используя B10G3741N55DZ от Ampleon, вы получите надежное и мощное решение для ваших радиочастотных приложений с высокой эффективностью и долговечностью.

Описание товара

  • digikey: 1603-B10G3741N55DZTR-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: RF MOSFET LDMOS 20QFN DetailedDescription: RF Mosfet 3.7GHz ~ 4.1GHz 34.8dB 47.6dBm 20-PQFN (8x8) Status: Active Category: Ampleon USA Inc.; Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®; Discrete Semiconductor Products; Transistors; FETs, MOSFETs; RF FETs, MOSFETs
  • parameters2: Technology: LDMOS Configuration: - Frequency: 3.7GHz ~ 4.1GHz Gain: 34.8dB Current Rating (Amps): 1.4µA Noise Figure: - Power - Output: 47.6dBm Voltage - Rated: 65 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 20-QFN Exposed Pad Supplier Device Package: 20-PQFN (8x8)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК