B10G3438N55DZ

7 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

B10G3438N55DZ - Ampleon

Общее описание

B10G3438N55DZ - это высокоэффективный RF MOSFET транзистор на основе LDMOS технологии, разработанный компанией Ampleon для работы в диапазоне частот от 3.4 ГГц до 3.8 ГГц. Он предназначен для использования в мощных усилителях мобильных базовых станций и других высокочастотных приложениях.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 47.5 dBm, что делает его идеальным для требовательных приложений.
  • Высокий коэффициент усиления: 34.2 dB, обеспечивающий значительное усиление сигнала.
  • Низкий ток покоя: всего 75 мА, что снижает энергопотребление системы.
  • Надежность и долговечность: поддержка работы при 28 V и номинальное напряжение до 65 V.

Недостатки

  • Узкий диапазон частот: ограничен от 3.4 ГГц до 3.8 ГГц, что может не подходить для всех видов применения.
  • Требуются специфические условия охлаждения: из-за высокой выходной мощности может потребоваться эффективное охлаждение для оптимальной работы.

Типовое использование

  • Базовые станции мобильной связи: усиление сигнала и обеспечение качественной связи.
  • Мощные радиочастотные усилители: в телекоммуникациях и радиопередающих устройствах.
  • Медицинское оборудование: в некоторых типах медицинских радиочастотных устройств.

Рекомендации по применению

  • Эффективное охлаждение: Для предотвращения перегрева рекомендуется установка на радиатор или систему активного охлаждения.
  • Правильное проектирование печатной платы: необходимо обеспечить адекватное заземление и минимизацию паразитных индуктивностей.
  • Использование высококачественного источника питания: для стабильной работы при высоком напряжении.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Частотный диапазон: 3.4 ГГц - 3.8 ГГц
  • Коэффициент усиления: 34.2 dB
  • Испытательное напряжение: 28 V
  • Выходная мощность: 47.5 dBm
  • Ток при испытаниях: 75 мА
  • Номинальное напряжение: 65 V

Возможные аналоги

  • Freescale MRFE6VP61K25H: RF MOSFET транзистор с аналогичными параметрами работы.
  • NXP BLF888A: альтернатива с похожим частотным диапазоном и усилением.

Использование B10G3438N55DZ позволяет добиться высокой эффективности и надежности в телекоммуникационных системах и мощных радиочастотных устройствах, обеспечивая качественное усиление сигнала и высокую выходную мощность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК