B10G2327N55DZ

7 012,80 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Описание компонента B10G2327N55DZ от Ampleon

Общее описание

B10G2327N55DZ - это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор на базе технологии LDMOS от компании Ampleon. Он предназначен для работы в диапазоне частот от 2.3 ГГц до 2.7 ГГц и обеспечивает высокую линейность и эффективность. Этот транзистор идеально подходит для использования в базовых станциях сотовой связи и других радиочастотных приложениях.

Преимущества

  • Высокая линейность: Оптимизированная для работы в базовых станциях высокоскоростных сетей.
  • Отличная производительность: Предоставляет высокий коэффициент усиления и стабильность в широком диапазоне частот.
  • Надежность: Разработан для длительной и стабильной работы при различных условиях эксплуатации.
  • Компактный корпус: Поставляется в корпусе 20-PQFN (8x8), что обеспечивает простоту в монтаже и экономию места на печатной плате.

Недостатки

  • Ограничение по напряжению: Максимальное рабочее напряжение составляет 32 В, что может ограничивать применение в некоторых высоковольтных системах.
  • Температурные ограничения: Необходима тщательная организация теплоотвода для предотвращения перегрева при высоких нагрузках.

Типовое использование

  • Базовые станции мобильной связи: Основное применение данного транзистора, благодаря его высокому коэффициенту усиления и стабильности.
  • Радиочастотные усилители мощности: Применяется в различных усилителях мощности для обеспечения устойчивого и стабильного сигнала.
  • Радиолокационные системы: Подходит для использования в радиолокационных системах благодаря своему широкому частотному диапазону.

Рекомендации по применению

  • Организация теплоотвода: Обеспечьте надежный теплоотвод для предотвращения перегрева компонентов.
  • Паяльные работы: Используйте методы поверхностного монтажа (SMT) для защиты от механических повреждений.
  • Защита от выбросов напряжения: Включите защитные схемы для предотвращения возможного повреждения устройства при выбросах напряжения.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 2.3 ГГц ~ 2.7 ГГц
  • Коэффициент усиления: 30 дБ
  • Тестовое напряжение: 32 В
  • Тестовый ток: 49 мА
  • Максимальное напряжение: 65 В
  • Корпус: 20-PQFN (8x8)
  • Ток утечки: 1.4 мкА

Возможные аналоги

  • MRF8P20150H от NXP Semiconductors: аналог с похожими характеристиками.
  • BLF7G27LS-160 от Ampleon: еще один аналог от того же производителя для схожих приложений.

Этот компонент идеально подходит для различных радиочастотных приложений, требующих надежной и эффективной работы.

Описание товара

  • digikey: 1603-B10G2327N55DZTR-ND
  • Datasheet [2]: Перейти
  • ai2: ProductDescription: RF MOSFET LDMOS 32V 20QFN DetailedDescription: RF Mosfet 32 V 49 mA 2.3GHz ~ 2.7GHz 30dB 20-PQFN (8x8) Status: Active Category: Ampleon USA Inc.; Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®; Discrete Semiconductor Products; Transistors; FETs, MOSFETs; RF FETs, MOSFETs
  • parameters2: Technology: LDMOS Configuration: - Frequency: 2.3GHz ~ 2.7GHz Gain: 30dB Voltage - Test: 32 V Current Rating (Amps): 1.4µA Noise Figure: - Current - Test: 49 mA Power - Output: - Voltage - Rated: 65 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 20-QFN Exposed Pad Supplier Device Package: 20-PQFN (8x8)

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК