ART2K0FEGJ

58 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

ART2K0FEGJ от Ampleon

Общее описание

ART2K0FEGJ – это высокоэффективный, широкополосный RF MOSFET транзистор, разработанный с использованием технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor). Этот компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 1 МГц до 400 МГц и может обеспечивать выходную мощность до 2000 Вт. Конструкция транзистора и его параметры делают его идеальным кандидатом для различных приложений в области радиочастотных усилителей.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 2000 Вт выходной мощности.
  • Широкий частотный диапазон: Операционный диапазон от 1 МГц до 400 МГц.
  • Высокая надежность и долговечность: Произведен с использованием технологий, обеспечивающих долгий срок службы.
  • Компактный корпус: Поставляется в корпусе SOT-539AN, что облегчает охлаждение и интеграцию в систему.

Недостатки

  • Требования к охлаждению: Высокая выходная мощность требует адекватного охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Сложность в использовании: Необходимы знания и навыки для правильной интеграции и настройки в радиочастотных системах.

Типовое использование

  • Радиочастотные усилители мощности (RF PA): Включая усилители для радиопередатчиков и индустриальных, научных и медицинских (ISM) приложений.
  • Военные и аэрокосмические системы: Используется в различных системах связи и радарах.
  • Усилители широкополосного сигнала: Применяется в системах, требующих высокой мощности и широкополосной работы.

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте эффективное охлаждение компонента для предотвращения перегрева.
  • Используйте в сочетании с соответствующими цепями защиты от перегрузок и скачков напряжения.
  • Следуйте рекомендациям производителя по схемотехническому дизайну для обеспечения максимальной производительности и надежности.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Конфигурация: Двойной, общая точка
  • Частотный диапазон: от 1 МГц до 400 МГц
  • Коэффициент усиления: 28.9 дБ
  • Напряжение теста: 65 В
  • Ток теста: 600 мА
  • Выходная мощность: 2000 Вт
  • Корпус: SOT-539AN

Возможные аналоги

  • BLF188XR от Ampleon
  • MRFE6VP61K25H от NXP Semiconductors
  • MRFE6VP5600N от NXP Semiconductors

Используйте ART2K0FEGJ для построения высокопроизводительных радиочастотных усилителей и других приложений, требующих высокой мощности и надежности.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК