ART1K6FHSU
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Полное описание ART1K6FHSU от Ampleon
Общее описание
ART1K6FHSU — высокопроизводительный RF MOSFET транзистор на базе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от компании Ampleon. Этот компонент предназначен для работы на частотах от 1 МГц до 425 МГц с выходной мощностью 1600 Вт. Благодаря превосходным характеристикам по усилению и высокой мощности, этот транзистор идеален для применения в высокочастотных устройствах и усилителях мощности.
Преимущества
- Высокая выходная мощность: до 1600 Вт, что обеспечивает высокую производительность в мощных RF приложениях.
- Широкий частотный диапазон: от 1 МГц до 425 МГц, что делает транзистор универсальным для различных задач.
- Усиление: 28 дБ при 65 В, обеспечивающее высокое качество сигнала.
- Надежность и долговечность: благодаря технологии LDMOS, компоненты обладают высокими эксплуатационными характеристиками.
Недостатки
- Требовательность к охлаждению: из-за высокой выходной мощности необходима эффективная система теплоотводов.
- Высокое напряжение питания: требует 65 В для работы, что может ограничить применение в низковольтных схемах.
Типовое использование
- Усилители мощности высокочастотных сигналов.
- Передающие устройства для радиосвязи и телекоммуникаций.
- Радиочастотные генераторы в научно-исследовательских и производственных приложениях.
- Системы радиосвязи в военной и профессиональной сферах.
Рекомендации по применению
- Установите транзистор на надежный теплоотвод с хорошей термопастой для обеспечения оптимального теплопередачи.
- Обеспечьте необходимые защитные схемы и фильтры для предотвращения перегрузок и гармонических искажений.
- Используйте соответствующие источники питания, способные обеспечить стабильное напряжение 65 В.
Основные технические характеристики
- Конфигурация: Двойной, с общим истоком (Dual, Common Source)
- Частотный диапазон: от 1 МГц до 425 МГц
- Усиление: 28 дБ при 65 В
- Тестовое напряжение: 65 В
- Тестовый ток: 600 мА
- Выходная мощность: 1600 Вт
- Корпус: SOT-539BN
- Тип монтажа: Поверхностный монтаж (Surface Mount)
- Допустимое напряжение: 177 В
Возможные аналоги
- BLF188XR от NXP: другой высокомощный LDMOS транзистор, работающий в аналогичном частотном диапазоне.
- MRFE6VP61K25H от ON Semiconductor: еще один мощный RF MOSFET с высокими характеристиками.
Заключение
RF MOSFET транзистор ART1K6FHSU от Ampleon — это надежный компонент с превосходной производительностью, который идеально подходит для профессиональных и высоконагрузочных радиочастотных приложений.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.