ART1K6FHSU

Полное описание ART1K6FHSU от Ampleon

Общее описание

ART1K6FHSU — высокопроизводительный RF MOSFET транзистор на базе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от компании Ampleon. Этот компонент предназначен для работы на частотах от 1 МГц до 425 МГц с выходной мощностью 1600 Вт. Благодаря превосходным характеристикам по усилению и высокой мощности, этот транзистор идеален для применения в высокочастотных устройствах и усилителях мощности.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 1600 Вт, что обеспечивает высокую производительность в мощных RF приложениях.
• Широкий частотный диапазон: от 1 МГц до 425 МГц, что делает транзистор универсальным для различных задач.
• Усиление: 28 дБ при 65 В, обеспечивающее высокое качество сигнала.
• Надежность и долговечность: благодаря технологии LDMOS, компоненты обладают высокими эксплуатационными характеристиками.

Недостатки

• Требовательность к охлаждению: из-за высокой выходной мощности необходима эффективная система теплоотводов.
• Высокое напряжение питания: требует 65 В для работы, что может ограничить применение в низковольтных схемах.

Типовое использование

• Усилители мощности высокочастотных сигналов.
• Передающие устройства для радиосвязи и телекоммуникаций.
• Радиочастотные генераторы в научно-исследовательских и производственных приложениях.
• Системы радиосвязи в военной и профессиональной сферах.

Рекомендации по применению

1. Установите транзистор на надежный теплоотвод с хорошей термопастой для обеспечения оптимального теплопередачи.
2. Обеспечьте необходимые защитные схемы и фильтры для предотвращения перегрузок и гармонических искажений.
3. Используйте соответствующие источники питания, способные обеспечить стабильное напряжение 65 В.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: Двойной, с общим истоком (Dual, Common Source)
• Частотный диапазон: от 1 МГц до 425 МГц
• Усиление: 28 дБ при 65 В
• Тестовое напряжение: 65 В
• Тестовый ток: 600 мА
• Выходная мощность: 1600 Вт
• Корпус: SOT-539BN
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж (Surface Mount)
• Допустимое напряжение: 177 В

Возможные аналоги

• BLF188XR от NXP: другой высокомощный LDMOS транзистор, работающий в аналогичном частотном диапазоне.
• MRFE6VP61K25H от ON Semiconductor: еще один мощный RF MOSFET с высокими характеристиками.

Заключение

RF MOSFET транзистор ART1K6FHSU от Ampleon — это надежный компонент с превосходной производительностью, который идеально подходит для профессиональных и высоконагрузочных радиочастотных приложений.