ART1K6FHGJ

ART1K6FHGJ от Ampleon

Общее описание

ART1K6FHGJ - это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор, разработанный Ampleon для использования в приложениях высокой мощности. Этот LDMOS транзистор способен работать на частотах от 1 МГц до 425 МГц и обладает высоким коэффициентом усиления 28 дБ. Транзистор упакован в корпус SOT539AN и обеспечивает мощность до 1600 Вт.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 1600 Вт, что делает устройство идеальным для приложений, требующих высокой мощности.
• Широкий диапазон рабочих частот: от 1 МГц до 425 МГц.
• Высокий коэффициент усиления: 28 дБ.
• Надежная конструкция: выполнен по технологии LDMOS для увеличения долговечности и производительности.
• Компактный корпус: компактный форм-фактор SOT539AN облегчает интеграцию в различные системы.

Недостатки

• Высокая цена: стоимость может быть значительной из-за высокой выходной мощности и качественных характеристик.
• Требование к охлаждению: необходимо обеспечить надлежащее охлаждение для работы на полную мощность.

Типовое использование

ART1K6FHGJ идеально подходит для применения в следующих областях:

• Вещательные системы: радиочастотные усилители для радио- и телевизионного вещания.
• Военные и аэрокосмические системы: усилители мощности для коммуникационных систем.
• Медицинские системы: высокочастотные медицинские приложения, такие как MRI.
• Технологии связи: усилители мощности в базовых станциях и спутниковых системах.

Рекомендации по применению

Для эффективного использования ART1K6FHGJ следует учитывать:

• Обеспечение надлежащего охлаждения и отвода тепла.
• Тщательная настройка схемы для обеспечения стабильной работы на высоких мощностях.
• Использование качественных компонентов и плат для крепления и соединения.

Основные технические характеристики

• Производитель: Ampleon
• Модель: ART1K6FHGJ
• Тип транзистора: RF MOSFET (LDMOS)
• Рабочее напряжение: 65 В
• Выходная мощность: до 1600 Вт
• Рабочий диапазон частот: 1 МГц - 425 МГц
• Коэффициент усиления: 28 дБ
• Корпус: SOT539AN
• Ток тестирования: 600 мА

Возможные аналоги

• BLF188XR от Ampleon: другой RF MOSFET, подходящий для применения в вещательных системах.
• MRFE6VP61K25H от NXP Semiconductors: альтернатива с мощностью 1250 Вт и высокой производительностью.
• PTC2100 от Infineon Technologies: транзистор с аналогичными характеристиками для применения в высокочастотных системах.

Заключение

ART1K6FHGJ от Ampleon предлагает высокую производительность и мощность для широкого спектра радиочастотных приложений. Его надежность и эффективность делают его отличным выбором для профессиональных систем и промышленных применений.