APTMC120AM25CT3AG

APTMC120AM25CT3AG от Microchip

Общее описание

APTMC120AM25CT3AG - это мощный N-канальный MOSFET, разработанный на основе технологии карбида кремния (SiC). Обеспечивая высокую эффективность и минимальные тепловые потери, данный компонент предназначен для работы в условиях высоких напряжений и больших токов. Основное назначение - использование в мощных импульсных источниках питания, электромобилях, инверторах и других приложениях, требующих высокой производительности и надежности.

Преимущества

• Высокая эффективность: За счет использования карбида кремния, данный MOSFET демонстрирует меньшие потери на выключение и включение.
• Высокое напряжение пробоя: Поддержка до 1200 В напряжения между истоком и стоком.
• Высокая устойчивость к перегреву: Операционный температурный диапазон до 150°C.
• Низкое сопротивление открытого канала: Сопротивление в открытом состоянии не превышает 25 миллиом при Id 80A и Vgs 20V.

Недостатки

• Высокая стоимость: Технология карбида кремния может значимо увеличить общие затраты.
• Требования к управлению: Необходимость использования драйверов, подходящих для управления SiC MOSFET.

Типовое использование

• Импульсные источники питания
• Солнечные инверторы
• Преобразователи постоянного тока
• Электромобили и зарядные станции
• Высоковольтные преобразователи

Рекомендации по применению

• Для достижения лучших результатов рекомендуется использовать специализированные драйверы SiC MOSFET.
• Обеспечить эффективное охлаждение за счет радиаторов или водяного охлаждения для отвода тепла.
• Следует учитывать импульсные характеристики прибора при проектировании и выборе схемы.

Основные технические характеристики

• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Конфигурация: 2 N-канальных (полумост)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 113 А
• Сопротивление канала (Rds On) (макс) при Id, Vgs: 25 мΩ при 80А, 20В
• Заряд затвора (Qg) (макс) при Vgs: 197 нК при 20В
• Мощность (макс): 500 Вт
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до +150°C
• Корпус/исполнение: SP3

Возможные аналоги

• Cree C2M1200D: SiC MOSFET с напряжением сток-исток 1200 В и аналогичными характеристиками.
• Rohm SCT2450: MOSFET на основе карбида кремния с аналогичными параметрами и высоким уровнем надежности.

APTMC120AM25CT3AG от Microchip - это надежный и производительный компонент для высоковольтных приложений, обладающий низкими потерями и высокой тепловой устойчивостью, что делает его отличным выбором для мощных и высокоэффективных систем.