APTM50AM38STG

APTM50AM38STG от Microchip

Общее описание

APTM50AM38STG - это мощный MOSFET-транзисторный модуль от компании Microchip Technology. Он включает в себя два N-канальных MOSFET-транзистора, соединенных по схеме полумоста. Данный модуль разработан для использования в высокопроизводительных и высоконадежных приложениях, требующих высоких энергопередающих способностей.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя (500В): Обеспечивает использование в приложениях с широким диапазоном напряжений.
• Высокая пропускная способность тока (90А): Подходит для мощных систем и приложений с высокими энергопередающими требованиями.
• Низкое сопротивление в состоянии включения (45мОм): Минимизирует потери мощности, улучшая общую эффективность схемы.
• Стабильная работа в широком диапазоне температур: от -40°C до 150°C, что делает его подходящим для использования в различных климатических условиях.

Недостатки

• Высокое значение зарядовой емкости затвора (246нК): Может потребовать мощные драйверы для управления.
• Большие габариты и вес: Из-за конструкции корпуса SP4 может потребоваться большее пространство для охлаждения.

Типовое использование

• Преобразователи напряжения (DC-DC, AC-DC)
• Инверторы
• Системы управления двигателями
• Силовые источники питания
• Солнечные инверторы

Рекомендации по применению

• Учитывая высокую пропускную способность тока, рекомендуется устанавливать соответствующие системы охлаждения, чтобы избежать перегрева.
• Необходимо применять тщательно подобранные драйверы для управления высокими зарядовыми емкостями затвора, чтобы обеспечить скоростное переключение и минимальные потери.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: 2 N-канальных MOSFET (полумост)
• Максимальное напряжение пробоя (Vdss): 500В
• Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 90А
• Максимальное сопротивление в состоянии включения (Rds On): 45мОм при токе 45А и напряжении 10В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 5В при токе 5мА
• Максимальная зарядовая емкость затвора (Qg): 246нК при напряжении 10В
• Максимальная входная емкость (Ciss): 11200пФ при напряжении 25В
• Максимальная мощность (Pmax): 694Вт
• Диапазон рабочих температур: от -40°C до 150°C
• Тип монтажа: Шасси (корпус SP4)

Возможные аналоги

• IRFP460 от Infineon: MOSFET N-канал 500В, 20А, 270Вт, корпус TO-247.
• STP11NM50N от STMicroelectronics: MOSFET N-канал 500В, 11А, 125Вт, корпус TO-220.

Этот MOSFET-модуль идеально подходит для применения в мощных и высоконадежных системах, предлагая высокую производительность и стабильность в разных условиях эксплуатации.