APTM100UM45DAG

105 840,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

APTM100UM45DAG от Microchip

Общее описание

APTM100UM45DAG — это мощный MOSFET транзистор N-типа с максимальным рабочим напряжением 1000 В и максимальным постоянным током 215А. Он выполнен по технологии MOSFET7 и предназначен для использования в силовых цепях. Это устройство изготовлено в корпусе SP6 и рассчитано на монтаж на шасси.

Преимущества

  • Высокое рабочее напряжение: 1000 В, что позволяет использовать в высоковольтных приложениях.
  • Высокий ток дренажа: до 215А, что делает компонент подходящим для применения в силовых цепях.
  • Низкое сопротивление открытого канала: 52 мОм при 10 В, что уменьшает потери мощности.
  • Высокая мощность рассеивания: до 5000 Вт, что позволяет эксплуатировать компонент в высокомощных приложениях.
  • Широкий диапазон температур эксплуатации: от -40°C до +150°C.

Недостатки

  • Высокая входная емкость: 42700 пФ, что может влиять на характеристики при высокочастотных приложениях.
  • Большой заряд затвора: 1602 нК, что требует мощного драйвера для управления.

Типовое использование

  • Преобразователи частоты
  • Блоки питания UPS
  • Силовые инверторы
  • Электродвигатели и их управления
  • Промышленные системы управления

Рекомендации по применению

  • Осуществите надлежащий монтаж на шасси для обеспечения надлежащего теплового управления.
  • Используйте качественные драйверы затвора, чтобы минимизировать время переключения и потери мощности.
  • Предусмотрите защиту цепи от перенапряжений и перегрузок по току для увеличения срока службы устройства.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: N-Channel MOSFET
  • Рабочее напряжение (Vdss): 1000 В
  • Постоянный ток дренажа (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
  • Сопротивление канала (Rds On) @ Id, Vgs: 52 мОм @ 107.5A, 10В
  • Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 5 В @ 30мА
  • Максимальное напряжение затвора (Vgs): ±30 В
  • Емкость входа (Ciss) @ Vds: 42700 пФ @ 25 В
  • Максимальная мощность рассеяния (Pd): 5000 Вт
  • Рабочая температура: от -40°C до +150°C
  • Корпус: SP6

Возможные аналоги

  • IRFP34N50K от Infineon
  • STW48N60M2 от STMicroelectronics
  • IXFH80N60P3 от IXYS

Для получения большей информации и покупки компонентов, пожалуйста, посетите наш интернет-магазин.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК