APT8011JLL

APT8011JLL от Microchip

Общее описание: APT8011JLL - это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, произведенный компанией Microchip Technology. Этот транзистор разработан с использованием технологии POWER MOS 7®, что обеспечивает высокие эксплуатационные характеристики и надежность. Компонент предназначен для работы с напряжениями до 800 В и может выдерживать токи до 51 А при условии монтажа на шасси (Tc).

Преимущества:

• Высокое напряжение пробоя (800 В)
• Высокая проводимость при низких значениях сопротивления канала (110 мОм)
• Низкий пороговый уровень напряжения на затворе (макс. 5 В)
• Высокая устойчивость к переходным процессам
• Надежное управление при высоких токах благодаря высокому номинальному значению тока (51 А)

Недостатки:

• Высокий уровень заряда затвора (650 нК), что может привести к увеличению времени переключения
• Требует эффективного охлаждения из-за высокой мощности и тока

Типовое использование:

• Силовая электроника и преобразователи
• Импульсные источники питания
• Инверторы и приводные системы
• Высоковольтные переключающие схемы

Рекомендации по применению:

• Используйте эффективные схемы охлаждения, такие как радиаторы, для обеспечения надежной работы при высоких токах.
• Обеспечьте надежное управление затвором для минимизации переходных процессов
• Поскольку транзистор имеет высокую входную ёмкость, обеспечьте подходящий драйвер затвора

Основные технические характеристики:

• Тип: N-канальный MOSFET
• Технология: POWER MOS 7®
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 800 В
• Ток стока (Id) при 25°C: 51 А (Tc)
• Сопротивление канала (Rds On): 110 мОм при 25.5А, 10 В
• Пороговое напряжение на затворе (Vgs(th)): максимум 5 В (при 5 мА)
• Заряд затвора (Qg): максимум 650 нК (при 10 В)
• Входная ёмкость (Ciss): максимум 9480 пФ (при 25 В)
• Корпус: ISOTOP®, SOT-227-4, miniBLOC

Возможные аналоги:

• IRFP460A от Infineon
• STW88N65M5 от STMicroelectronics
• IXFH64N80 от IXYS

APT8011JLL является надежным и высокоэффективным выбором для применения в разнообразных высоковольтных и высокомощных схемах.