APT53F80J

APT53F80J от Microchip

Общее описание

APT53F80J - это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный производителем Microchip. Он обладает высокой стойкостью к напряжению и предназначен для использования в приложениях, требующих высокой производительности и надежности.

Преимущества

• Высокая мощность: Максимальная рассеиваемая мощность до 960 Вт.
• Отличные параметры проводимости: Низкое сопротивление Rds(on) максимум 110 мОм при Id 43A.
• Высокое напряжение сток-исток: Максимальное напряжение до 800 В.

Недостатки

• Высокие требования к управлению: Требуется правильное управление затвором для предотвращения повреждений.
• Габариты и монтаж: Необходимо учитывать размеры и способ монтажа (ISOTOP), что может потребовать соответствующего дизайна печатной платы.

Типовое использование

• Импульсные источники питания: Отлично подходит для использования в силовых конвертерах и ИБП.
• Электромоторы: Используется в драйверах моторов для различных промышленных приложений.
• Высокомощные инверторы: Идеален для преобразователей энергии в солнечных и ветряных электростанциях.
• Автомобильная электроника: Может быть применен в системах управления двигателями и других автокомпонентах.

Рекомендации по применению

1. Управление затвором: Требуется использовать драйвер затвора, обеспечивающий надёжное переключение и минимизацию потерь.
2. Теплоотвод: Необходимо обеспечить адекватное охлаждение для предотвращения перегрева и продления срока службы устройства.
3. Защита от перенапряжения: Рекомендуется использовать схемы защиты, чтобы предотвратить повреждение транзистора при скачках напряжения.

Основные технические характеристики

• Тип FET: N-канальный
• Технология: MOSFET (металлооксидный)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 800 В
• Постоянный ток стока (Id): 57A (Tc)
• Напряжение на затворе-истоке (Vgs): ±30 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 110 мОм при Id 43A, 10V
• Заряд затвора (Qg): 570 нКл при Vgs 10V
• Емкость входа (Ciss): 17550 пФ при Vds 25V
• Рассеиваемая мощность: 960 Вт (Tc)
• Корпус/Монтаж: ISOTOP® / Шасси (Chassis Mount)
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (Tj)

Возможные аналоги

• IRFP460: Со схожими параметрами по напряжению и току.
• STW48N60M2: Альтернативный N-канальный MOSFET с близкими характеристиками.
• IXFH44N80P: Имеет аналогичные параметры по напряжению и мощности.

Данный транзистор является отличным выбором для приложений, требующих высокой надёжности и производительности.