APT5010JLLU2

MOSFET APT5010JLLU2 от Microchip

Общее описание

APT5010JLLU2 — мощный N-канальный MOSFET транзистор от компании Microchip Technology, который имеет напряжение пробоя до 500 В и способен выдерживать постоянный ток до 41 А. Этот компонент размещен в корпусе SOT-227, что делает его идеальным для шасси монтажа. Благодаря своей высокой мощности рассеивания (до 378 Вт) и низкому сопротивлению в открытом состоянии (100 мОм), транзистор APT5010JLLU2 нашел широкое применение в различных мощных электронных схемах.

Преимущества

• Высокое номинальное напряжение (500 В): Позволяет использовать в высоковольтных приложениях.
• Большой ток (41 А): Поддержка значительных токов при низких потерях.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (100 мОм): Обеспечивает эффективное управление и минимальные потери энергии.
• Корпус SOT-227: Надежное крепление и отличное теплоотведение.

Недостатки

• Требуется достаточное охлаждение: При высоких значениях тока и напряжения требуется эффективное охлаждение для предотвращения перегрева.
• Относительно крупный размер корпуса: Корпус SOT-227 может быть слишком велик для некоторых приложений.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи постоянного тока.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Промышленные электроприводы.
• Электромобили и гибридные транспортные средства.
• Солярные инверторы и системы накопления энергии.

Рекомендации по применению

• Эффективное охлаждение: Обеспечьте правильное охлаждение, используя радиаторы или принудительное охлаждение для предотвращения перегрева.
• Заземление корпуса: Убедитесь, что корпус транзистора надежно заземлен для предотвращения электромагнитных помех.
• Правильный драйв затвора: Используйте соответствующие драйверы затвора для управления транзистором, чтобы максимально снизить время включения и выключения.

Основные технические характеристики

• Тип: N-канальный MOSFET
• Технология: MOSFET (Металлооксидный)
• Напряжение исток-сток (Vdss): 500 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 41 А (Tc)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 100 мОм при 23 А и 10 В
• Заряд затвора (Qg): 96 нК при 10 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±30 В
• Потери мощности (Pd): 378 Вт (Tc)
• Корпус: SOT-227

Возможные аналоги

• IRFP460A от Infineon: N-канальный MOSFET с аналогичными характеристиками по напряжению и току.
• STW20NM60 от STMicroelectronics: Высоковольтный N-канальный MOSFET с похожими параметрами.

Этот мощный MOSFET APT5010JLLU2 является отличным выбором для различных высоковольтных и мощных приложений благодаря своим высоким характеристикам и надежному корпусу.