APT47M60J

Описание для APT47M60J от Microchip

Общее описание

APT47M60J от Microchip – это мощный MOSFET транзистор N-канального типа, предназначенный для использования в высоковольтных приложениях. Транзистор обладает высоким максимальным напряжением исток-сток (Vds) до 600 В и непрерывным током стока (Id) до 49 А при температуре корпуса (Tc). Основное применение данной модели – это силовые преобразователи, источники питания и другие устройства, требующие высокой надежности и эффективности.

Преимущества

• Высокая мощность: Может рассеивать мощность до 540 Вт при правильном монтаже на радиатор.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds On): Всего 0.09 Ом при токе 33 А и напряжении затвор-исток 10 В, что позволяет снизить тепловые потери.
• Большой диапазон напряжений управления затвором (Vgs): Допускает диапазон от -30 В до +30 В, что повышает гибкость при проектировании схем.
• Высокая емкость входа: 13190 пФ при 25 В, что улучшает переключательные характеристики.

Недостатки

• Размеры корпуса: ISOTOP® (SOT-227-4) – это корпусные размеры, предполагающие необходимость в наличии радиатора для отвода тепла.
• Высокая емкость затвора (Qg): 330 нК при 10 В может потребовать дополнительных схем для управления затвором.

Типовое использование

• Силовые преобразователи: Используется в высоковольтных инверторах, преобразователях DC-DC, выпрямителях.
• Источник питания: Применяется в импульсных источниках питания (SMPS), блоках питания высокой мощности.
• Устройства управления двигателями: Подходит для схем управления электрическими двигателями, например, в промышленной автоматизации.

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: При проектировании необходимо учитывать необходимость использования радиаторов для эффективного отвода тепла.
• Управление затвором: Возможно потребуется использование драйверов затвора для обеспечения быстрого и эффективного переключения.
• Защита: Рекомендуется продумать защиту устройства от пиковых напряжений и токов.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Напряжение исток-сток (Vds): 600 В
• Непрерывный ток стока (Id): 49 А (при Tc)
• Сопротивление открытого канала (Rds On): 0.09 Ом при 33 А и Vgs 10 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): ±30 В
• Заряд затвора (Qg): 330 нК при Vgs 10 В
• Емкость входа (Ciss): 13190 пФ при Vds 25 В
• Максимальная мощность рассеивания: 540 Вт (при Tc)
• Корпус: ISOTOP® (SOT-227-4)

Возможные аналоги

• IRFP460A от Infineon
• STW20NM60 от STMicroelectronics
• FDP2572 от ON Semiconductor

Если вам требуется надежный и мощный MOSFET для высоковольтных приложений, APT47M60J от Microchip станет отличным выбором, обеспечивающим высокую производительность и надежность.