APT19F100J от Microchip

Общее описание

APT19F100J - это мощный одноканальный N-канальный MOSFET-транзистор от компании Microchip Technology, предназначенный для работы в высоковольтных и высокоэнергетических приложениях. Он имеет номинальное напряжение стока-истока (Vdss) в 1000 В и непрерывный ток стока (Id) до 20 А при нормальных температурных условиях (Tc).

Преимущества

1. Высокое напряжение пробоя: 1000 В, что делает его идеальным для работы в высоковольтных схемах.
2. Высокая мощность рассеивания: до 460 Вт при Tc, что способствует улучшению теплоотдачи.
3. Низкое сопротивление в открытом состоянии: Максимально до 440 мОм, что снижает энергетические потери.
4. Широкий диапазон рабочей температуры: от -55°C до +150°C, обеспечивая стабильную работу в различных условиях.

Недостатки

1. Большое входное емкость (Ciss): до 8500 пФ, что может лимитировать скорость переключения.
2. Высокое заряд затвора (Qg): до 260 нК, что требует более мощного драйвера затвора для быстрого переключения.

Типовое использование

• Инверторы для фотоэлектрических систем: Благодаря высокому напряжению и току, APT19F100J подходит для преобразования и управления высоковольтными источниками энергии.
• UPS (источники бесперебойного питания): Устойчивость к перегрузкам и эффективность управления делают этот компонент полезным в разработке систем бесперебойного питания.
• Быстрое переключение силовых ключей: Низкое сопротивление и высокое напряжение пробоя идеально подходят для высокоскоростных и высокоэффективных переключающих приложений.

Рекомендации по применению

• Разработка надежной системы охлаждения: В связи с возможностью высокой тепловыделения, рекомендуется уделять внимание теплоотводам и системам охлаждения.
• Использование подходящего драйвера затвора: Для минимизации времени переключения и потерь важно выбрать мощный драйвер, способный обеспечить необходимый заряд затвора.
• Защита от перегрузок: Встроенная система защиты поможет избежать повреждений в случае перегрузок по току или напряжению.

Основные технические характеристики

• Тип FET: N-канал
• Технология: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)
• Номинальное напряжение стока-истока (Vdss): 1000 В
• Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 20 А
• Заряд затвора (Qg): 260 нК при 10 В
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 440 мОм при 16 А, 10 В
• Максимальное напряжение затвора (Vgs): ±30 В
• Мощность рассеивания (Pd): 460 Вт при Tc
• Рабочий температурный диапазон: от -55°C до +150°C
• Тип монтажа: Монтаж на шасси
• Корпус: ISOTOP®

Возможные аналоги

• IRFP250N: Также имеет высокое напряжение пробоя и подходит для аналогичных приложений.
• IXFK72N30P: Предоставляет сходные параметры напряжения и тока, подходящий для мощных, высокочастотных приложений.

Для получения дополнительной информации и приобретения компонента APT19F100J от Microchip, пожалуйста, посетите наш интернет-магазин.