APT10M11LVRG

APT10M11LVRG от Microchip

Общее описание

APT10M11LVRG — это мощный MOSFET-транзистор N-типа от компании Microchip, предназначенный для использования в высокоинтенсивных приложениях. Он обладает высокой производительностью и надежностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра задач в сфере электроники.

Преимущества

• Высокий ток стока: До 100A при 25°C, что обеспечивает надежную работу в высоконагруженных цепях.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 11 мОм, что снижает потери энергии и улучшает эффективность системы.
• Повышенная мощность рассеивания: До 520 Вт, что позволяет использовать компонент в мощных приложениях без риска перегрева.
• Широкий диапазон напряжений управления затвором: До ±30 В, что обеспечивает гибкость в различных схемах управления.

Недостатки

• Форм-фактор TO-264: Требует дополнительного пространства на плате.
• Высокая входная емкость: 10300 пФ, что может потребовать специализированного драйвера для управления.

Типовое использование

• Преобразователи мощности
• Моторные приводы
• Инверторы
• Силовые ступени импульсных источников питания
• Автомобильная электроника

Рекомендации по применению

• Обеспечьте адекватное охлаждение для максимальной эффективности и долговечности компонента.
• Используйте драйверы затвора с подходящими характеристиками, чтобы минимизировать потери и улучшить скорость переключения.
• Учитывайте входную и выходную емкость при разработке схемы, чтобы избежать нежелательных эффектов.

Основные технические характеристики

• Тип FET: N-типа
• Технология: MOSFET
• Напряжение пробоя сток-исток (Vdss): 100 В
• Ток стока (Id): 100A (при 25°C)
• Напряжение на затворе для максимального Rds(on): 10 В
• Rds(on) (макс.): 11 мОм @ 50A, 10V
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 4 В @ 2.5 мА
• Заряд затвора (Qg): 450 нКл @ 10 В
• Максимальное напряжение затвора (Vgs(Max)): ±30 В
• Входная емкость (Ciss): 10300 пФ @ 25 В
• Мощность рассеивания (Макс.): 520 Вт
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C
• Тип монтажа: Сквозное отверстие
• Корпус: TO-264

Возможные аналоги

• IRFP4568 от Infineon
• FDBL015N60 от ON Semiconductor
• STP75NF75 от STMicroelectronics

Этот MOSFET-транзистор является отличным выбором для мощных и критически важных приложений, благодаря своим впечатляющим характеристикам и надежности.