AIMZHN120R020M1TXKSA1

AIMZHN120R020M1TXKSA1 от Infineon

Общее описание

AIMZHN120R020M1TXKSA1 — это высокопроизводительный MOSFET на основе технологии карбида кремния (SiC), который предоставляет существенные улучшения в эффективности и уменьшении потерь по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET. Данный компонент предназначен для работы в сложных условиях, способствуя повышению плотности мощности и надежности систем.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: Возможность работы с напряжением до 1200 В.
• Минимальное сопротивление Rds(on): Сопротивление до 20 мОм обеспечивает низкие потери при проводимости.
• Высокая температура работы: Диапазон рабочих температур от -55°C до +175°C расширяет области применения.
• Повышенная надежность: Соответствие стандарту AEC-Q101 для автомобильной промышленности.

Недостатки

• Высокая стоимость: Технология SiC может быть дороже по сравнению с традиционными MOSFET на основе кремния.
• Чувствительность к напряжению: Требует строгого контроля рабочих параметров для предотвращения повреждений.

Типовое использование

• Преобразователи мощности и инверторы.
• Электрические приводы и двигатели в автомобильной промышленности.
• Высокочастотные переключательные приложения.
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Солнечные инверторы и системы переработки возобновляемой энергии.

Рекомендации по применению

• Используйте механизмы активного охлаждения или радиаторы для управления тепловыделением.
• Обеспечьте защиту от превышения допустимых значений напряжения и тока.
• Проведите тщательное тестирование и симуляцию рабочих условий для вашей схемы.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id): 100A при 25°C (Tc)
• Максимальное сопротивление Rds(on): 20 мОм при 20 В
• Максимальная полная температура перехода (Tj): -55°C ~ +175°C
• Корпус: ТО-247-4

Возможные аналоги

• C3M0120100K от Wolfspeed
• SCT3160KLGC11 от Rohm Semiconductor

Заключение

AIMZHN120R020M1TXKSA1 от Infineon — отличный выбор для приложений, требующих высоких напряжений и высокой плотности мощности. Этот SiC-MOSFET предоставляет великолепные характеристики в плане эффективности и надежности, подтвержденные строгими стандартами автомобильной промышленности.