AIMZH120R030M1TXKSA1

AIMZH120R030M1TXKSA1 от Infineon

Общее описание

AIMZH120R030M1TXKSA1 - это мощный N-канальный MOSFET на базе кремния, разработанный для высоковольтного применения. Этот транзистор рассчитан на напряжение до 1200 В и обеспечивает высокую мощность при низком сопротивлении канала. Его инновационный дизайн делает его идеальным для автомобильной промышленности и других критически важных приложений.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя (1200 В): Идеально подходит для высоковольтных приложений.
• Низкое сопротивление Rds(on): Обеспечивает высокую эффективность энергопотребления.
• Высокое токовое значение (90А): Отлично подходит для мощных нагрузок.
• Аттестация AEC-Q101: Соответствует строгим требованиям автомобильной промышленности.
• Широкий диапазон рабочих температур (-55°C до 175°C): Гарантирует стабильную работу в экстремальных условиях.

Недостатки

• Стоимость может быть выше по сравнению с традиционными MOSFET за счет инновационных материалов и технологий.
• Требует осторожного обращения с учетом высокого рабочего напряжения и мощности.

Типовое использование

• Автомобильная электроника: Используется в системах управления двигателем, инверторах и трансформаторах.
• Промышленные силовые установки: Подходит для инверторов и систем управления электродвигателями.
• Энергетические системы: Оптимально для преобразователей напряжения и силовых блоков.

Рекомендации по применению

• Убедитесь в наличии адекватной системы охлаждения для предотвращения перегрева.
• Следует использовать предохранительные устройства, чтобы защитить транзистор от возможных перегрузок или коротких замыканий.
• Тщательно проектируйте схему с учетом высоковольтных и высокотоковых характеристик данного MOSFET.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Технология: SiC
• Максимальное напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 В
• Максимальный непрерывный ток стока (Id): 90А
• Управляющее напряжение (Vgs): ±23 В (макс)
• Сопротивление канала (Rds(on)): 30 мОм
• Мощность рассеивания (Pmax): 416 Вт
• Корпус: PG-TO247-4-11
• Температурный диапазон работы: -55°C до 175°C

Возможные аналоги

• FFSG125N65A от Fairchild Semiconductor
• IRFP4668PBF от Infineon
• APT100GN60JLL от Microsemi

Заключение

AIMZH120R030M1TXKSA1 представляет собой высоковольтный N-канальный MOSFET, который предлагает исключительную производительность для автомобильных и промышленных приложений. Этот компонент с высокой мощностью и низким Rds(on) является надежным выбором для решений, требующих высокой эффективности и надежности.