AIMZH120R020M1TXKSA1

7 680,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

AIMZH120R020M1TXKSA1 от Infineon

Общее описание

AIMZH120R020M1TXKSA1 – это кремниевый карбидный (SiC) MOSFET от компании Infineon Technologies. Этот N-канальный транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток (Vds) 1200 В и максимальный непрерывный ток стока (Id) 100 А при условиях, при которых температура корпуса составляет 25°C.

Преимущества

  • Высокая напряжение пробоя: 1200 В, что позволяет использовать устройство в высоковольтных приложениях.
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 20 мОм, что уменьшает рассеивание мощности.
  • Высокая надежность и устойчивость к высоким температурам: Рабочая температура переходит до 175°C.
  • Поддержка автомобильного применения: Соответствует стандарту AEC-Q101.

Недостатки

  • Цена: Компоненты на основе SiC обычно дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
  • Особенности управления: Требуют более четкого управления драйвером затвора.

Типовое использование

  • Автомобильные применения
  • Высоковольтные источники питания
  • Системы управления мотором
  • Инверторы для солнечных панелей

Рекомендации по применению

  • Используйте драйверы затвора, обеспечивающие необходимые параметры для управления SiC транзисторами.
  • Учитывайте особенности охлаждения при проектировании для эффективного отвода тепла.
  • Следите за возможными переходными процессами и импульсными шумами при высоких напряжениях и токах.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: N-канальный SiC MOSFET
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
  • Максимальный ток стока (Id): 100 А (Tc)
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 20 мОм (при Vgs = 20В)
  • Максимальное напряжение затвора (Vgs): +23 В/-5 В
  • Температура перехода (Tj): -55°C до 175°C
  • Корпус: TO-247-4
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 429 Вт (Tc)
  • Квалификация: AEC-Q101

Возможные аналоги

  • Wolfspeed C3M0065090J – N-канальный SiC MOSFET, 900 В, 21 мОм.
  • Rohm SCT3022AL – N-канальный SiC MOSFET, 1700 В, 22 мОм.
  • STMicroelectronics SCT20N120 – N-канальный SiC MOSFET, 1200 В, 80 А, 20 мОм.

Эти компоненты могут подойти в зависимости от конкретных требований вашего проекта по напряжению, току и условиям работы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК