AIMZH120R020M1TXKSA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
AIMZH120R020M1TXKSA1 от Infineon
Общее описание
AIMZH120R020M1TXKSA1 – это кремниевый карбидный (SiC) MOSFET от компании Infineon Technologies. Этот N-канальный транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток (Vds) 1200 В и максимальный непрерывный ток стока (Id) 100 А при условиях, при которых температура корпуса составляет 25°C.
Преимущества
- Высокая напряжение пробоя: 1200 В, что позволяет использовать устройство в высоковольтных приложениях.
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 20 мОм, что уменьшает рассеивание мощности.
- Высокая надежность и устойчивость к высоким температурам: Рабочая температура переходит до 175°C.
- Поддержка автомобильного применения: Соответствует стандарту AEC-Q101.
Недостатки
- Цена: Компоненты на основе SiC обычно дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
- Особенности управления: Требуют более четкого управления драйвером затвора.
Типовое использование
- Автомобильные применения
- Высоковольтные источники питания
- Системы управления мотором
- Инверторы для солнечных панелей
Рекомендации по применению
- Используйте драйверы затвора, обеспечивающие необходимые параметры для управления SiC транзисторами.
- Учитывайте особенности охлаждения при проектировании для эффективного отвода тепла.
- Следите за возможными переходными процессами и импульсными шумами при высоких напряжениях и токах.
Основные технические характеристики
- Тип транзистора: N-канальный SiC MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
- Максимальный ток стока (Id): 100 А (Tc)
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 20 мОм (при Vgs = 20В)
- Максимальное напряжение затвора (Vgs): +23 В/-5 В
- Температура перехода (Tj): -55°C до 175°C
- Корпус: TO-247-4
- Максимальная рассеиваемая мощность: 429 Вт (Tc)
- Квалификация: AEC-Q101
Возможные аналоги
- Wolfspeed C3M0065090J – N-канальный SiC MOSFET, 900 В, 21 мОм.
- Rohm SCT3022AL – N-канальный SiC MOSFET, 1700 В, 22 мОм.
- STMicroelectronics SCT20N120 – N-канальный SiC MOSFET, 1200 В, 80 А, 20 мОм.
Эти компоненты могут подойти в зависимости от конкретных требований вашего проекта по напряжению, току и условиям работы.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.