AIMZH120R010M1TXKSA1

AIMZH120R010M1TXKSA1 от Infineon

Общее описание

AIMZH120R010M1TXKSA1 — это высокопроизводительный силовой MOSFET на базе технологии карбида кремния (SiC) от компании Infineon Technologies. Этот компонент представляет собой N-канальный транзистор с напряжением пробоя 1200 В и максимальным током стока 202 А при температуре корпуса (Tc). Он предназначен для использования в приложениях, требующих высокой эффективности, высокой плотности мощности и улучшенной термостойкости.

Преимущества

• Высокая производительность: SiC-технология обеспечивает низкие потери и высокую эффективность.
• Высокая термостойкость: Максимальная рабочая температура составляет 175°C.
• Высокий ток стока: Способен работать при токах до 202 А.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 11,3 мОм при 93 А и 20 В.
• Встроенная защита: Соответствует стандарту AEC-Q101, что делает его подходящим для автомобильных применений.

Недостатки

• Стоимость: Компоненты на базе карбида кремния (SiC) обычно дороже традиционных кремниевых MOSFET.
• Необходимость в тщательном управлении: Требуется осторожность при управлении затвором из-за высоких потолковых значений напряжения.

Типовое использование

• Источники питания: Высокочастотные, высокоэффективные преобразователи мощности.
• Электромобили: Приводы и инверторы.
• Промышленные приводы: Высокопроизводительные двигатели и контроллеры.
• Возобновляемая энергетика: Инверторы для солнечных установок и ветровых турбин.
• Авиатехника: Системы управления и преобразователи мощности.

Рекомендации по применению

1. Охлаждение: Обеспечить адекватное охлаждение для эффективного тепломенадежности.
2. Управление затвором: Использовать соответствующие драйверы затвора для управления высокочастотными переключениями.
3. Защита от перенапряжений: Внедрять меры защиты от перенапряжений, чтобы предотвратить повреждение MOSFET.

Основные технические характеристики

• Тип FET: N-Channel
• Технология: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 202 А (Tc)
• Максимальная диссипация мощности: 750 Вт (Tc)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds On) при Id, Vgs: 11,3 мОм при 93 А и 20 В
• Заряд затвора (Qg) при Vgs: 178 нК при 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): +23 В, -5 В
• Монтаж: Сквозное отверстие
• Температура эксплуатации: -55°C до 175°C (Tj)
• Обусловленные стандарты (Grade): Автомобильный
• Квалификация: AEC-Q101
• Корпус устройства: TO-247-4

Возможные аналоги

• Wolfspeed C2M0025120D: N-канальный SiC MOSFET с похожими характеристиками.
• Rohm SCT3120ALGC11: SiC MOSFET с напряжением пробоя 1200 В и низким сопротивлением Rds On.

AIMZH120R010M1TXKSA1 — это отличное решение для приложений, требующих высокой мощности, надежности и эффективности в условиях высокой температуры и интенсивной эксплуатации.