AIMW120R045M1XKSA1

Infineon AIMW120R045M1XKSA1: Описание и характеристики

Общее описание

AIMW120R045M1XKSA1 — это высокоэффективный силовой MOSFET транзистор на основе карбида кремния (SiC) от компании Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET предназначен для работы на высоких напряжениях до 1200 В и способен выдерживать постоянный ток до 75 А при специальном креплении, что делает его идеальным для использования в силовых электронных устройствах, требующих высокой эффективности и надежности.

Преимущества

• Высокая эффективность благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (Rds(on)).
• Широкий диапазон рабочих температур, от -55°C до +175°C.
• Высокая стойкость к напряжению до 1200 В.
• Устойчивость к перегрузкам и возможность работы в тяжелых условиях.
• Быстрое время переключения, что снижает потери энергии при переключении.

Недостатки

• Высокая стоимость, что может быть ограничивающим фактором для некоторых приложений.
• Требуется тщательное управление тепловым режимом для предотвращения перегрева.

Типовое использование

• Силовые инверторы и преобразователи для солнечных батарей.
• Моторные драйверы и системы управления двигателями.
• Энергетические системы зарядки для электромобилей.
• Импульсные источники питания и преобразователи частоты.
• Промышленная автоматика и силовая электроника.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте адекватное охлаждение устройства, используя радиаторы и/или тепловые интерфейсные материалы.
• Проверьте совместимость с другими компонентами схемы, особенно обращая внимание на рабочие напряжения и токи.
• Используйте качественные пайки и монтажные материалы для обеспечения надежности контактов.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 1200 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id) при 25°C: 75 А (при определенных условиях крепления)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 45 мОм
• Граничное напряжение исток-затвор (Vgs): ±20 В
• Максимальная мощность рассеивания (Ptot): 360 Вт
• Корпус: TO-247-3

Возможные аналоги

• Cree C3M0065090D — SiC MOSFET с аналогичными характеристиками.
• STMicroelectronics SCT2450N120 — N-канальный SiC MOSFET.
• Rohm SCT3022AL — высоковольтный SiC MOSFET с низким сопротивлением.

Этот компонент подходит для различных высоковольтных и высокотоковых приложений, предлагая высокую эффективность и надежность.