AIMW120R035M1HXKSA1

Infineon AIMW120R035M1HXKSA1

Общее описание

AIMW120R035M1HXKSA1 – это N-канальный MOSFET транзистор производства компании Infineon Technologies с использованием технологии CoolSiC™. Этот транзистор предназначен для использования в высоковольтных приложениях и отличается высокой эффективностью и надежностью благодаря материалу SiC (карбид кремния). Он подходит для работы с напряжением до 1200 В и обеспечивает ток до 35 А.

Преимущества

• Высокая эффективность: Использование карбида кремния (SiC) значительно улучшает производительность и снижает потери мощности.
• Надежность: Повышенная температура работы делает этот транзистор подходящим для применения в экстремальных условиях.
• Компактность: Уменьшенные потери мощности позволяют использовать менее громоздкую систему охлаждения.
• Экологичность: Повышенная эффективность приводит к уменьшению энергопотребления и выбросов CO2.

Недостатки

• Цена: Транзисторы на основе карбида кремния часто дороже своих аналогов на основе кремния из-за сложности производства.
• Специфические требования к управлению: Для достижения максимальной эффективности могут потребоваться специализированные драйверы и схемы управления.

Типовое использование

• Электрические транспортные средства: В системе электроприводов и зарядных устройств, где требуется высокая эффективность и надежность.
• Промышленная автоматизация: В устройствах управления двигателями и источниках питания.
• Возобновляемая энергетика: В инверторах для солнечных панелей и ветрогенераторов.
• Высоковольтные преобразователи: В силовой электронике, требующей высокого напряжения и мощности.

Рекомендации по применению

• Тщательная настройка драйвера: Поскольку SiC MOSFETы могут иметь более высокие требования к управлению, рекомендуется использовать драйверы, специально разработанные для работы с SiC компонентами.
• Управление температурой: Несмотря на лучшее тепловое управление, важно обеспечить адекватное охлаждение для максимальной эффективности.
• Мониторинг и защита: Включение механизмов защиты от перенапряжения и перегрузки по току для предотвращения повреждений.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Технология: SiC (карбид кремния)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id) при 25°C: 35 А
• Сопротивление канала (Rds(on)): 35 мОм при 18 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): +20 В, -5 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 350 Вт
• Температурный диапазон работы: от -55°C до +175°C
• Корпус: TO-247-3

Возможные аналоги

• Cree C2M1000170D: Аналогичный SiC MOSFET с максимальными напряжением сток-исток 1700 В и током 30 А.
• Rohm SCT3030AR: MOSFET на основе технологии SiC с напряжением 900 В и током 54 А.
• Wolfspeed C3M0065100K: Транзистор с максимальным напряжением 1000 В и током 36 А.

Этот MOSFET идеально подходит для приложений, требующих высокой эффективности и надежности при работе с высокими напряжениями.