AIMDQ75R008M1HXUMA1

MOSFET AIMDQ75R008M1HXUMA1 от Infineon Technologies

Общее описание

AIMDQ75R008M1HXUMA1 – это мощный N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с использованием технологии кремний-карбид (SiC), предназначенный для применения в автомобильной промышленности. Этот транзистор обладает высокой производительностью и надежностью, что делает его идеальным выбором для различных приложений, требующих высокой эффективности и устойчивости к экстремальным условиям эксплуатации.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: 750 В.
• Высокая допустимая сила тока: до 173 А при 25°C.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): всего 10,6 мОм.
• Высокая мощность рассеивания: до 625 Вт при 25°C.
• Улучшенная эффективность: использование кремний-карбидной технологии повышает эффективность и уменьшает тепловые потери.
• Автомобильная квалификация: AEC-Q101.

Недостатки

• Стоимость: Компоненты на основе SiC могут быть дороже по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET.
• Сложность управления: Требуется тщательное управление для достижения максимальной эффективности.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи в автомобильных системах.
• Блоки управления мотором.
• Приложения для электромобилей и гибридных автомобилей.
• Высоковольтные импульсные источники питания.
• Промышленные и энергетические системы с высокими требованиями по эффективности и надежности.

Рекомендации по применению

• Используйте подходящие схемы драйверов для обеспечения надежного управления MOSFET.
• Обеспечьте адекватное охлаждение и теплоотвод для поддержания температуры в допустимых пределах.
• Применяйте в схемах, требующих высокую эффективность, снижение тепловых потерь и высокую мощность.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Технология: Кремний-карбид (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 750 В
• Номинальный ток стока (Id) при 25°C: 173 А
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): 10,6 мОм при 90,3 А и 18 В
• Пороговое напряжение Vgs (Vgs(th)): до 5,6 В при 32,4 мА
• Заряд затвора (Qg): 178 нК при 18 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): +23 В, -5 В
• Максимальная мощность рассеивания: 625 Вт
• Рабочая температура: от -55°C до +175°C (Tj)
• Степень автоквалификации: AEC-Q101
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж (SMD)
• Корпус: PG-HDSOP-22

Возможные аналоги

• C2M0025120D от Cree (Wolfspeed) – аналогичный кремний-карбид MOSFET.
• STW26N65M5 от STMicroelectronics – альтернатива с кремниевым MOSFET.
• IXTK100N75L2 от IXYS – мощный кремниевый MOSFET с похожими параметрами.

Заключение

AIMDQ75R008M1HXUMA1 – превосходный выбор для приложений, требующих высоким требованиям к эффективности и надежности. Этот MOSFET обеспечивает высокую производительность, минимальные тепловые потери и устойчивость к экстремальным условиям, что делает его идеальным компонентом для использования в современной автомобильной и промышленной электронике.