AIMBG120R010M1XTMA1

12 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

AIMBG120R010M1XTMA1 от Infineon

Общее описание

AIMBG120R010M1XTMA1 — это мощный SiC (карбид кремния) MOSFET транзистор, разработанный для использования в высоковольтных и высокоэффективных приложениях. Он предлагает отличную производительность в условиях высоких температур и обеспечивает более низкие потери по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET'ами, что делает его идеальным выбором для приложений, требующих высокой надежности и эффективности.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Благодаря низким потерям переключения и проводимости транзистор обеспечивает высокую общую производительность.
  • Высокие рабочие температуры: Работоспособен при температурах до 175°C, что позволяет использовать его в жестких условиях эксплуатации.
  • Низкое сопротивление Rds(on): Уменьшает потери при проводимости, улучшая энергоэффективность.
  • Устойчивость к высоким напряжениям: Способствует повышению надежности в высоковольтных приложениях.

Недостатки

  • Цена: Стоимость выше по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET'ами.
  • Сложность интеграции: Требует специальных драйверов для управления.

Типовое использование

  • Инверторы для солнечных панелей и ветрогенераторов
  • Электромобили и гибридные транспортные средства
  • Импульсные источники питания
  • Тяговые и индустриальные приводы

Рекомендации по применению

  • Используйте специализированные драйверы для управления SiC MOSFET
  • Обеспечьте эффективное охлаждение для поддержания рабочих температур в допустимых пределах
  • Обратите внимание на правильное проектирование печатной платы для минимизации паразитных индуктивностей и обеспечьте надлежащую изоляцию

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Технология: Карбид кремния (SiC)
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
  • Максимальный непрерывный ток стока (Id): 187A (при 25°C)
  • Максимальное сопротивление открытия (Rds(on)): 10 мОм
  • Рабочая температура: -55°C до +175°C
  • Корпус: PG-TO263-7-12 (D2PAK 7+1)

Возможные аналоги

  • C3M0065100K от Wolfspeed
  • SCT3160KL от Rohm Semiconductor
  • APT40SM120B от Microchip Technology

Этот продукт отлично подойдет для профессионалов, работающих с высоковольтным оборудованием, где требуется высокая эффективность и надежность.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК