AIMBG120R010M1XTMA1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
AIMBG120R010M1XTMA1 от Infineon
Общее описание
AIMBG120R010M1XTMA1 — это мощный SiC (карбид кремния) MOSFET транзистор, разработанный для использования в высоковольтных и высокоэффективных приложениях. Он предлагает отличную производительность в условиях высоких температур и обеспечивает более низкие потери по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET'ами, что делает его идеальным выбором для приложений, требующих высокой надежности и эффективности.
Преимущества
- Высокая эффективность: Благодаря низким потерям переключения и проводимости транзистор обеспечивает высокую общую производительность.
- Высокие рабочие температуры: Работоспособен при температурах до 175°C, что позволяет использовать его в жестких условиях эксплуатации.
- Низкое сопротивление Rds(on): Уменьшает потери при проводимости, улучшая энергоэффективность.
- Устойчивость к высоким напряжениям: Способствует повышению надежности в высоковольтных приложениях.
Недостатки
- Цена: Стоимость выше по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET'ами.
- Сложность интеграции: Требует специальных драйверов для управления.
Типовое использование
- Инверторы для солнечных панелей и ветрогенераторов
- Электромобили и гибридные транспортные средства
- Импульсные источники питания
- Тяговые и индустриальные приводы
Рекомендации по применению
- Используйте специализированные драйверы для управления SiC MOSFET
- Обеспечьте эффективное охлаждение для поддержания рабочих температур в допустимых пределах
- Обратите внимание на правильное проектирование печатной платы для минимизации паразитных индуктивностей и обеспечьте надлежащую изоляцию
Основные технические характеристики
- Тип транзистора: N-канальный MOSFET
- Технология: Карбид кремния (SiC)
- Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
- Максимальный непрерывный ток стока (Id): 187A (при 25°C)
- Максимальное сопротивление открытия (Rds(on)): 10 мОм
- Рабочая температура: -55°C до +175°C
- Корпус: PG-TO263-7-12 (D2PAK 7+1)
Возможные аналоги
- C3M0065100K от Wolfspeed
- SCT3160KL от Rohm Semiconductor
- APT40SM120B от Microchip Technology
Этот продукт отлично подойдет для профессионалов, работающих с высоковольтным оборудованием, где требуется высокая эффективность и надежность.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.