AFV10700HSR5

108 240,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

AFV10700HSR5 от NXP

Общее описание

AFV10700HSR5 - это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор компании NXP, основанный на технологии LDMOS. Этот компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 1.03 до 1.09 ГГц и обеспечивает выходную мощность до 770 ватт при рабочем напряжении 50 В. Транзистор выполнен в корпусе NI-780S-4L, что делает его идеальным для использования в приложениях, требующих высокой мощности и хороших рабочих параметров.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 770 Вт, что делает этот транзистор отличным выбором для мощных RF передатчиков.
  • Высокий коэффициент усиления: 19.2 дБ, что способствует более высокому КПД и производительности системы.
  • Широкий диапазон рабочих напряжений: от 45 В до 50 В.
  • Длительный срок службы и надежность: благодаря использованию LDMOS технологии.

Недостатки

  • Узкий диапазон рабочих частот: ограничение частотного диапазона от 1.03 до 1.09 ГГц может быть недостатком для некоторых применений.
  • Требовательность к охлаждению: для достижения максимальной производительности может потребоваться система эффективного теплового управления.

Типовое использование

  • Базовые станции для сотовых сетей
  • Радиолокационные системы
  • Радиопередатчики высокой мощности
  • Системы управления и навигации в аэрокосмических приложениях

Рекомендации по применению

  • Убедитесь, что питание и охлаждение соответствуют требованиям документации.
  • Используйте в согласованных антеннах и фильтрах для достижения лучших характеристик.
  • Соблюдайте меры по предотвращению перегрева для продления срока службы компонента.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Конфигурация: Двойной (Dual)
  • Частота: от 1.03 до 1.09 ГГц
  • Коэффициент усиления: 19.2 дБ
  • Рабочее напряжение: 50 В
  • Ток тестирования: 100 мА
  • Выходная мощность: 770 Вт
  • Максимальное напряжение: 105 В
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (Surface Mount)
  • Корпус: NI-780S-4L

Возможные аналоги

  • MRF151G от NXP
  • BLF188XR от Ampleon
  • PTFA260451E от Infineon

Эти аналоги могут быть рассмотрены в зависимости от конкретных требований вашего проекта и доступности компонентов.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК