AFV10700HR5

AFV10700HR5 от NXP

Общее описание

AFV10700HR5 – это мощный радиочастотный MOSFET-транзистор от компании NXP Semiconductors, предназначенный для применения в устройствах с усилением мощности на частотах от 960 МГц до 1.215 ГГц. Он выполнен по технологии LDMOS и поставляется в корпусе NI-780-4, обеспечивая мощность выхода до 700 Вт и высокий коэффициент усиления.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Может достигать до 700 Вт, что делает его идеальным для применения в высокомощных усилителях.
• Широкий диапазон частот: Рабочий диапазон 960 МГц – 1.215 ГГц позволяет использовать устройство в различных радиочастотных приложениях.
• Высокий коэффициент усиления: 19.2 dB при 1.03 ГГц.
• Низкий коэффициент шума и высокое качество сигнала: Это позволяет устройству обеспечивать высокое качество передачи сигнала.

Недостатки

• Высокое напряжение питания: Требует напряжения питания до 52 В, что может ограничить его применение в некоторых устройствах.
• Компоненты для охлаждения: Для обеспечения высокой выходной мощности может потребоваться сильное охлаждение.

Типовое использование

• Усилители мощности для радиочастотной аппаратуры
• Базовые станции сотовой связи
• Радиолокационные системы и системы связи
• Медицинское оборудование для радиотерапии

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Обеспечьте достаточное охлаждение для предотвращения перегрева транзистора при работе на высокой мощности.
• Защита от перенапряжения: Используйте соответствующие схемы защиты для предотвращения повреждений транзистора из-за перенапряжения.
• Герметизация: Защищайте транзистор от воздействий окружающей среды, таких как влага и пыль.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: LDMOS
• Конфигурация: 2 N-канала
• Частотный диапазон: 960 МГц – 1.215 ГГц
• Коэффициент усиления: 19.2 dB при 1.03 ГГц
• Тестовое напряжение: 52 В
• Тестовый ток: 100 мА
• Выходная мощность: до 700 Вт
• Рассеиваемая мощность: до 700 Вт
• Корпус: NI-780-4

Возможные аналоги

• MRF13750H от NXP: мощный RF транзистор с похожими характеристиками, однако с меньшей выходной мощностью.
• BLF888A от Ampleon: также является LDMOS транзистором, подходящим для усиления мощности в радиочастотных приложениях.

Использование AFV10700HR5 от NXP позволяет создавать высокомощные и эффективные радиочастотные усилители для различных применений.