AFT26HW050GSR3-NXP
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
AFT26HW050GSR3-NXP от NXP
Общее описание
AFT26HW050GSR3-NXP — это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор, предназначенный для работы в диапазоне частот от 2.496 ГГц до 2.69 ГГц. Этот компонент оптимизирован для различных приложений, требующих высокой выходной мощности и стабильности при высоких частотах.
Преимущества
- Высокая выходная мощность: До 9 Вт, обеспечивающая надежное усиление сигнала.
- Повышенная линейность и эффективность: Идеально подходит для линейных усилителей мощности.
- Широкий диапазон рабочих частот: Подходит для множества применений, включая системные решения связи и радиолокации.
- Надежное шасси для установки: Облегчает интеграцию в существующие решения.
Недостатки
- Ограничение по напряжению: Необходимость управления подводимым напряжением для предотвращения повреждений.
- Требования к охлаждению: Необходимость в надлежащем теплоотводе для стабилизации работы при высокой мощности.
Типовое использование
- Радиочастотные усилители: Применяется в линейных усилителях мощности для базовых станций, ретрансляторов и других телекоммуникационных устройств.
- Радиолокационные системы: Используется в радиолокации для передачи мощных сигналов.
- Трансмиссия данных: Подходит для высокочастотных передатчиков в системах связи.
Рекомендации по применению
- Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение с помощью радиаторов или вентиляторов для избежания перегрева.
- Стабилизированное питание: Используйте стабилизированный источник питания для поддержания стабильного уровня входного напряжения.
- Защитные схемы: Включите защитные элементы в электрическую схему, такие как TVS-диоды, для защиты от перенапряжений.
Основные технические характеристики
- Технология: LDMOS (Dual)
- Конфигурация: 2 N-Channel
- Рабочая частота: от 2.496 ГГц до 2.69 ГГц
- Усиление: 14.2 дБ
- Тестовое напряжение: 28 В
- Ток теста: 100 мА
- Выходная мощность: 9 Вт
- Максимальное напряжение: 65 В
- Монтаж: Шасси (Chassis Mount)
- Корпус: NI-780S-4L4L-8
- Пакет устройства поставщика: NI-780S-4L4L-8
Возможные аналоги
- Freescale Semiconductor MRF150
- Infineon BGA7H1BN9
Заключение
AFT26HW050GSR3-NXP предлагает сочетание высокой мощности и надежности, что делает его отличным выбором для радиочастотных приложений, требующих стабильной и эффективной работы в диапазоне 2.496-2.69 ГГц. При правильном проектировании и учете всех рекомендаций этот компонент обеспечит надежную работу любой системы.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.