AFT26HW050GSR3-NXP

27 600,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

AFT26HW050GSR3-NXP от NXP

Общее описание

AFT26HW050GSR3-NXP — это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор, предназначенный для работы в диапазоне частот от 2.496 ГГц до 2.69 ГГц. Этот компонент оптимизирован для различных приложений, требующих высокой выходной мощности и стабильности при высоких частотах.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 9 Вт, обеспечивающая надежное усиление сигнала.
  • Повышенная линейность и эффективность: Идеально подходит для линейных усилителей мощности.
  • Широкий диапазон рабочих частот: Подходит для множества применений, включая системные решения связи и радиолокации.
  • Надежное шасси для установки: Облегчает интеграцию в существующие решения.

Недостатки

  • Ограничение по напряжению: Необходимость управления подводимым напряжением для предотвращения повреждений.
  • Требования к охлаждению: Необходимость в надлежащем теплоотводе для стабилизации работы при высокой мощности.

Типовое использование

  • Радиочастотные усилители: Применяется в линейных усилителях мощности для базовых станций, ретрансляторов и других телекоммуникационных устройств.
  • Радиолокационные системы: Используется в радиолокации для передачи мощных сигналов.
  • Трансмиссия данных: Подходит для высокочастотных передатчиков в системах связи.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение с помощью радиаторов или вентиляторов для избежания перегрева.
  • Стабилизированное питание: Используйте стабилизированный источник питания для поддержания стабильного уровня входного напряжения.
  • Защитные схемы: Включите защитные элементы в электрическую схему, такие как TVS-диоды, для защиты от перенапряжений.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS (Dual)
  • Конфигурация: 2 N-Channel
  • Рабочая частота: от 2.496 ГГц до 2.69 ГГц
  • Усиление: 14.2 дБ
  • Тестовое напряжение: 28 В
  • Ток теста: 100 мА
  • Выходная мощность: 9 Вт
  • Максимальное напряжение: 65 В
  • Монтаж: Шасси (Chassis Mount)
  • Корпус: NI-780S-4L4L-8
  • Пакет устройства поставщика: NI-780S-4L4L-8

Возможные аналоги

  • Freescale Semiconductor MRF150
  • Infineon BGA7H1BN9

Заключение

AFT26HW050GSR3-NXP предлагает сочетание высокой мощности и надежности, что делает его отличным выбором для радиочастотных приложений, требующих стабильной и эффективной работы в диапазоне 2.496-2.69 ГГц. При правильном проектировании и учете всех рекомендаций этот компонент обеспечит надежную работу любой системы.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК