AFT21S140W02SR3

38 880,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

AFT21S140W02SR3 от NXP Semiconductors

Общее описание

AFT21S140W02SR3 — это высокопроизводительный RF MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS от компании NXP Semiconductors. Он предназначен для использования в приложениях беспроводной связи, таких как базовые станции сотовой связи, и работает в частотном диапазоне от 2.11 до 2.17 ГГц. Отличается высокой выходной мощностью до 140 Вт и стабильной работой при напряжении питания 28 В.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 140 Вт, что обеспечивает отличные характеристики для мощных радиочастотных приложений.
  • Широкий частотный диапазон: Оптимизирован для работы в диапазоне 2.11–2.17 ГГц, что делает его идеальным для применения в системах беспроводной связи.
  • Технология LDMOS: Обеспечивает высокую эффективность и надежность при эксплуатации.
  • Компактность: Поверхностный монтаж (Surface Mount) в корпусе NI-780S, что упрощает интеграцию в сложные схемы.

Недостатки

  • Цена: Высокая производительность может быть связана с более высокой ценой по сравнению с аналогами.
  • Устаревание: Может быть недоступен для новых разработок из-за возможного снятия с производства или замены на более современные аналоги.

Типовое использование

  • Базовые станции сотовой связи
  • Радиочастотные усилители мощности
  • Модуляторы передачи и приема в беспроводных системах связи
  • Засекретированные системы связи

Рекомендации по применению

  • Слои и экранирование: Для улучшения производительности и уменьшения помех устанавливайте транзистор на плате с хорошим заземлением и экранирующими слоями.
  • Теплоотвод: Обеспечьте адекватное охлаждение, так как мощные компоненты RF могут выделять существенное количество тепла.
  • Защита: Используйте защиту от статического электричества при установке и управлении компонентом.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 2.11 – 2.17 ГГц
  • Выходная мощность: До 140 Вт
  • Тестовое напряжение: 28 В
  • Ток тестирования: 800 мА
  • Коэффициент усиления: 19.3 дБ @ 2.14 ГГц
  • Корпус: NI-780S
  • Рабочее напряжение: До 65 В
  • Монтаж: Поверхностный монтаж (SMT)

Возможные аналоги

  • MRF141G от NXP Semiconductors
  • BLF6G20LS-140 от Ampleon
  • ARF475FL от Advanced Power Technology

AFT21S140W02SR3 от NXP Semiconductors — это мощный и надежный компонент для широкого спектра приложений в области радиочастотной передачи данных.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК