AFT21H350W03SR6

NXP Semiconductors AFT21H350W03SR6

Общее описание

AFT21H350W03SR6 - это мощный RF LDMOS транзистор от компании NXP Semiconductors, предназначенный для приложений в диапазоне частот от 1805 до 2170 МГц. Этот транзистор способен обеспечивать выходную мощность до 350 Вт при напряжении питания 28 В, что делает его идеальным выбором для использования в базовых станциях сотовой связи и других высокомощных RF-приложениях.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: до 350 Вт, что обеспечивает отличную производительность в высокомощных приложениях.
• Широкий диапазон частот: от 1805 до 2170 МГц, что делает этот транзистор универсальным для различных радиочастотных систем.
• Эффективность: высокий КПД при преобразовании энергии.
• Надежность: транзистор разработан для длительного использования в тяжелых эксплуатационных условиях.

Недостатки

• Требуется охлаждение: для поддержания оптимальной производительности и предотвращения перегрева необходимо использовать соответствующее охлаждение.
• Цена: высокая производительность и надежность обусловливают более высокую стоимость по сравнению с аналогичными продуктами.

Типовое использование

• Базовые станции сотовой связи
• Вещательные системы
• Усилители мощности в радиооборудовании

Рекомендации по применению

• Используйте соответствующие радиаторы или другие системы охлаждения для предотвращения перегрева.
• Убедитесь, что напряжение питания не превышает рекомендованного уровня для обеспечения долговечности и стабильной работы.
• Проводите регулярные проверки состояния транзистора в условиях интенсивной эксплуатации.

Основные технические характеристики

• Выходная мощность (P1dB): 350 Вт
• Полоса частот: 1805-2170 МГц
• Усиление: 17 дБ (типично)
• КПД (Drain Efficiency): 48% (типично)
• Рабочее напряжение (Vds): 28 В
• Rds(on): низкое, обеспечивает высокую эффективность
• Тип корпуса: NI-1230H-4L

Возможные аналоги

• MRFE6VP8600H (NXP)
• BLF884PE (Ampleon)
• MRFE8VP61K25HR6 (NXP)

Заключение

AFT21H350W03SR6 от NXP Semiconductors - это надежный и эффективный выбор для высокопроизводительных RF-приложений, требующих высокой выходной мощности и устойчивости к жестким условиям эксплуатации.