AFT20P060-4NR3

AFT20P060-4NR3 от NXP

Общее описание

AFT20P060-4NR3 - это высокочастотный RF МОП-транзистор (MOSFET) с технологией LDMOS, предназначенный для мощных приложений. Он предлагает выдающиеся характеристики на рабочей частоте до 2.7 ГГц, что делает его идеальным компонентом для использования в телекоммуникациях и других высокочастотных приложениях.

Преимущества

• Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 60 Вт.
• Высокая линейность: Способствует улучшению качества сигнала.
• Простота интеграции: Смонтирован в компактном корпусе NI-780S-4, легко интегрируется в системы.

Недостатки

• Тепловыделение: При высоких уровнях мощности требуется эффективное управление тепловыделением.
• Специализированное применение: Подходит для узкого диапазона высокочастотных приложений, что может ограничивать его использование.

Типовое использование

• Телекоммуникации: Усилители мощности для базовых станций мобильной связи.
• Радиолокационные системы: Высокочастотные передатчики.
• Медицинское оборудование: Аппараты для магнитно-резонансной томографии (МРТ).

Рекомендации по применению

• Обеспечьте эффективное охлаждение для предотвращения перегрева.
• Расположите транзистор в области с минимальными электромагнитными помехами для наилучшей производительности.
• Используйте высококачественные пассивные компоненты для согласования импедансов на входе и выходе.

Основные технические характеристики

• Частота: до 2.7 ГГц
• Выходная мощность: 60 Вт
• Коэффициент усиления: 19.2 дБ при 2.14 ГГц
• Напряжение питания: 28 В
• Ток при тестировании: 1.1 А

Возможные аналоги

• MRF6V2200N от NXP: MOSFET транзистор с чуть меньшими характеристиками мощности.
• BLF6G27-45 от Ampleon: предлагает подобные характеристики с несколько другим коэффициентом усиления.

Этот полупроводниковый компонент представляет собой высокопроизводительное устройство, способное обеспечить стабильную работу в требовательных высокочастотных приложениях.