A3T19H455W23SR6

A3T19H455W23SR6 от NXP Semiconductors

Общее описание

A3T19H455W23SR6 — это высокочастотный MOSFET транзистор (RF MOSFET) на основе LDMOS технологии от компании NXP Semiconductors, предназначенный для работы в диапазоне частот от 1930 до 1990 МГц. Этот компонент способен обеспечивать среднюю выходную мощность до 81 Вт при напряжении 30 В, что делает его отличным выбором для усилителей мощности в телекоммуникационных приложениях.

Преимущества

• Высокая надежность: Использование LDMOS технологии обеспечивает повышенную надежность и устойчивость к различным условиям эксплуатации.
• Высокая выходная мощность: Способность обеспечивать среднюю мощность до 81 Вт позволяет использовать транзистор в высокопроизводительных системах.
• Широкий диапазон частот: Подходит для частотного диапазона 1930-1990 МГц, что покрывает множество телекоммуникационных применений.
• Компактные размеры: Упаковка типа SOT502-2 позволяет компактно разместить компонент на печатной плате, что упрощает проектировку устройств.

Недостатки

• Тепловая нагрузка: При высокой мощности может потребоваться дополнительное охлаждение для предотвращения перегрева.
• Стоимость: Высокопроизводительные компоненты могут быть дороже аналогов с более низкими характеристиками.

Типовое использование

• Базовые станции сотовой связи
• Усилители мощности для беспроводных систем
• Усилители мощности радиосистем и передатчиков
• Другие телекоммуникационные приложения

Рекомендации по применению

• Обеспечьте достаточное охлаждение для управления тепловыми нагрузками.
• Используйте подходящие фильтры и схемы согласования импеданса для оптимальной работы устройства.
• Следите за рабочими параметрами, такими как напряжение и ток, строго в пределах допустимых значений.

Основные технические характеристики

• Полоса частот: 1930-1990 МГц
• Средняя выходная мощность: 81 Вт
• Рабочее напряжение: 30 В
• Упаковка: SOT502-2
• Технология: LDMOS

Возможные аналоги

• BLF8G20LS-180AVT от Ampleon: RF MOSFET транзистор для похожих применений с аналогичными характеристиками.
• MRF7S19100HSR3 от NXP: Альтернативный высокочастотный MOSFET транзистор для схожего диапазона частот и мощности.

Этот компонент является отличным выбором для разработчиков и инженеров, работающих над высококачественными усилителями мощности в телекоммуникационных применениях.